ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs, 80 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3G08DBKHRB AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 687-464
- Tillv. art.nr:
- RD3G08DBKHRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (2 enheter, på ett band med 2)*
21,35 kr
(exkl. moms)
26,69 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 72 enhet(er) från den 05 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 10,675 kr | 21,35 kr |
| 20 - 48 | 9,43 kr | 18,86 kr |
| 50 - 198 | 8,45 kr | 16,90 kr |
| 200 - 998 | 6,81 kr | 13,62 kr |
| 1000 + | 6,68 kr | 13,36 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-464
- Tillv. art.nr:
- RD3G08DBKHRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | RD3G08DBKHRB | |
| Kapseltyp | TO-252 (TL) | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 76W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 28nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101, RoHS | |
| Bredd | 6.8mm | |
| Längd | 10.5mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie RD3G08DBKHRB | ||
Kapseltyp TO-252 (TL) | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 76W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 28nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 2.3mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101, RoHS | ||
Bredd 6.8mm | ||
Längd 10.5mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
ROHM Power MOSFET är konstruerad för högpresterande tillämpningar som kräver överlägsen effektivitet och hög strömkapacitet. Utformad för att fungera vid 40 V med en maximal kontinuerlig dräneringsström på 80 A, ger denna MOSFET exceptionell tillförlitlighet och prestanda under olika driftsförhållanden. Dessutom minimerar den låga påslagningsresistansen på 4,1 mΩ energiförluster, vilket säkerställer optimal termisk prestanda och effektförlust på upp till 76 W, vilket gör den till ett idealiskt val för krävande tillämpningar inom fordons- och industrisektorer.
Lågt påslagningsmotstånd för minskade energiförluster under drift
Hög kontinuerlig dräneringsströmkapacitet på 80 A för robust prestanda
Nominell effektförlust på 76 W för tillförlitlig drift i högeffektstillämpningar
Nominell avalanche-ström på 30 A, vilket säkerställer hållbarhet under transientförhållanden
AEC Q101-kvalificering för tillförlitlighet i fordonstillämpningar
RoHS-kompatibel med Pb-fri plätering, i linje med miljöstandarder
Innehåller förpackningsspecifikationer som präglad tejp för effektiv hantering
Flera spänningsvärden för att tillgodose olika kretsdesigner
Relaterade länkar
- ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG194FPD3HRB AEC-Q101
- ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG185FGD3HRB AEC-Q101
- ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3L08DBKHRB AEC-Q101
- ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG091FLD3HRB AEC-Q101
- ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3L08CBLHRB AEC-Q101
- ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3L08DBLHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3P08BBLHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG501EGD3HRB AEC-Q101