ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs, 80 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3G08DBKHRB AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 687-464
- Tillv. art.nr:
- RD3G08DBKHRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 2 enheter)*
21,35 kr
(exkl. moms)
26,69 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 72 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 10,675 kr | 21,35 kr |
| 20 - 48 | 9,43 kr | 18,86 kr |
| 50 - 198 | 8,45 kr | 16,90 kr |
| 200 - 998 | 6,81 kr | 13,62 kr |
| 1000 + | 6,68 kr | 13,36 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-464
- Tillv. art.nr:
- RD3G08DBKHRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TO-252 (TL) | |
| Serie | RD3G08DBKHRB | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 28nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 76W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 6.8mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101, RoHS | |
| Längd | 10.5mm | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TO-252 (TL) | ||
Serie RD3G08DBKHRB | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 28nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 76W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 6.8mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101, RoHS | ||
Längd 10.5mm | ||
Höjd 2.3mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
ROHM Power MOSFET är konstruerad för högpresterande tillämpningar som kräver överlägsen effektivitet och hög strömkapacitet. Utformad för att fungera vid 40 V med en maximal kontinuerlig dräneringsström på 80 A, ger denna MOSFET exceptionell tillförlitlighet och prestanda under olika driftsförhållanden. Dessutom minimerar den låga påslagningsresistansen på 4,1 mΩ energiförluster, vilket säkerställer optimal termisk prestanda och effektförlust på upp till 76 W, vilket gör den till ett idealiskt val för krävande tillämpningar inom fordons- och industrisektorer.
Lågt påslagningsmotstånd för minskade energiförluster under drift
Hög kontinuerlig dräneringsströmkapacitet på 80 A för robust prestanda
Nominell effektförlust på 76 W för tillförlitlig drift i högeffektstillämpningar
Nominell avalanche-ström på 30 A, vilket säkerställer hållbarhet under transientförhållanden
AEC Q101-kvalificering för tillförlitlighet i fordonstillämpningar
RoHS-kompatibel med Pb-fri plätering, i linje med miljöstandarder
Innehåller förpackningsspecifikationer som präglad tejp för effektiv hantering
Flera spänningsvärden för att tillgodose olika kretsdesigner
Relaterade länkar
- ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG194FPD3HRB AEC-Q101
- ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG091FLD3HRB AEC-Q101
- ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3L08CBLHRB AEC-Q101
- ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3L08DBKHRB AEC-Q101
- ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3L08DBLHRB AEC-Q101
- ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs, 80 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG086FGD3HRB AEC-Q101
- ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG191FLD3HRB AEC-Q101
- ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs, 80 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG185FGD3HRB AEC-Q101