ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG185FGD3HRB AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 687-438
- Tillv. art.nr:
- AG185FGD3HRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 2 enheter)*
27,12 kr
(exkl. moms)
33,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 98 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 13,56 kr | 27,12 kr |
| 20 - 48 | 11,92 kr | 23,84 kr |
| 50 - 198 | 10,74 kr | 21,48 kr |
| 200 - 998 | 8,645 kr | 17,29 kr |
| 1000 + | 8,45 kr | 16,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-438
- Tillv. art.nr:
- AG185FGD3HRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -40V | |
| Serie | AG185FGD3HRB | |
| Kapseltyp | TO-252 (TL) | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 96W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101, RoHS | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Bredd | 6.8mm | |
| Längd | 10.5mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -40V | ||
Serie AG185FGD3HRB | ||
Kapseltyp TO-252 (TL) | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 96W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101, RoHS | ||
Höjd 2.3mm | ||
Bredd 6.8mm | ||
Längd 10.5mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
ROHM N-kanals effekt-MOSFET är utformad för fordonstillämpningar. Denna enhet är skräddarsydd för att ge effektiv omkoppling med en maximal dräneringskällspänning på 40 V och en kontinuerlig dräneringsström på 80 A. Den har låg påslagningsresistans, vilket säkerställer minimal effektförlust under drift, vilket bidrar till förbättrad värmehantering och prestanda i krävande miljöer. Med en effektförlustkapacitet på 96 W är denna MOSFET lämplig för olika tillämpningar som kräver tillförlitlig och robust prestanda. Dess blyfri plätering och RoHS-överensstämmelse understryker engagemanget för miljövänlig tillverkning. Denna del är AEC-Q101-kvalificerad, vilket säkerställer att den uppfyller de strikta fordonsstandarderna för tillförlitlighet och säkerhet.
Lågt påslagningsmotstånd på 3,2 mΩ maximerar effektiviteten och minskar värmegenereringen
Klassad för en kontinuerlig dräneringsström på 80 A, lämplig för robusta tillämpningar
Ger en hög effektförlustkapacitet på 96 W för krävande uppgifter
Utformad för en maximal dräneringskällspänning på 40 V, vilket säkerställer mångsidighet i applikationer
AEC Q101-kvalificerad, vilket säkerställer hög tillförlitlighet i fordonsanvändning
Blyfri plätering och RoHS-överensstämmelse återspeglar miljömedveten produktion
Lämpligt för olika fordonssystem, vilket förbättrar systemprestanda och livslängd
Har ett kompakt DPAK-paket för effektiv utrymmesanvändning på kretskortskonstruktioner
Relaterade länkar
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3N045AT AEC-Q101
- ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG091FLD3HRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3P08BBLHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3G04BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs -30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3E07BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG194FPD3HRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3L08BBJHRB AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, Enkla MOSFETs -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG501EGD3HRB AEC-Q101
