ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs, 80 A -40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG185FGD3HRB AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 687-438
- Tillv. art.nr:
- AG185FGD3HRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 2 enheter)*
27,12 kr
(exkl. moms)
33,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 98 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 13,56 kr | 27,12 kr |
| 20 - 48 | 11,92 kr | 23,84 kr |
| 50 - 198 | 10,74 kr | 21,48 kr |
| 200 - 998 | 8,645 kr | 17,29 kr |
| 1000 + | 8,45 kr | 16,90 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 687-438
- Tillv. art.nr:
- AG185FGD3HRBTL
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | Enkla MOSFETs | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | -40V | |
| Serie | AG185FGD3HRB | |
| Kapseltyp | TO-252 (TL) | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 96W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 10.5mm | |
| Bredd | 6.8mm | |
| Höjd | 2.3mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101, RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp Enkla MOSFETs | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds -40V | ||
Serie AG185FGD3HRB | ||
Kapseltyp TO-252 (TL) | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximal effektförlust Pd 96W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 10.5mm | ||
Bredd 6.8mm | ||
Höjd 2.3mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101, RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
ROHM N-kanals effekt-MOSFET är utformad för fordonstillämpningar. Denna enhet är skräddarsydd för att ge effektiv omkoppling med en maximal dräneringskällspänning på 40 V och en kontinuerlig dräneringsström på 80 A. Den har låg påslagningsresistans, vilket säkerställer minimal effektförlust under drift, vilket bidrar till förbättrad värmehantering och prestanda i krävande miljöer. Med en effektförlustkapacitet på 96 W är denna MOSFET lämplig för olika tillämpningar som kräver tillförlitlig och robust prestanda. Dess blyfri plätering och RoHS-överensstämmelse understryker engagemanget för miljövänlig tillverkning. Denna del är AEC-Q101-kvalificerad, vilket säkerställer att den uppfyller de strikta fordonsstandarderna för tillförlitlighet och säkerhet.
Lågt påslagningsmotstånd på 3,2 mΩ maximerar effektiviteten och minskar värmegenereringen
Klassad för en kontinuerlig dräneringsström på 80 A, lämplig för robusta tillämpningar
Ger en hög effektförlustkapacitet på 96 W för krävande uppgifter
Utformad för en maximal dräneringskällspänning på 40 V, vilket säkerställer mångsidighet i applikationer
AEC Q101-kvalificerad, vilket säkerställer hög tillförlitlighet i fordonsanvändning
Blyfri plätering och RoHS-överensstämmelse återspeglar miljömedveten produktion
Lämpligt för olika fordonssystem, vilket förbättrar systemprestanda och livslängd
Har ett kompakt DPAK-paket för effektiv utrymmesanvändning på kretskortskonstruktioner
Relaterade länkar
- ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG194FPD3HRB AEC-Q101
- ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG091FLD3HRB AEC-Q101
- ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3L08CBLHRB AEC-Q101
- ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs, 80 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3G08DBKHRB AEC-Q101
- ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3L08DBKHRB AEC-Q101
- ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), RD3L08DBLHRB AEC-Q101
- ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs, 80 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG086FGD3HRB AEC-Q101
- ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs, 80 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 (TL), AG191FLD3HRB AEC-Q101