ROHM 2 N Kanal, MOSFET-arrayer, 12.5 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, HT8KE6
- RS-artikelnummer:
- 646-615
- Tillv. art.nr:
- HT8KE6HTB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 10 enheter)*
87,47 kr
(exkl. moms)
109,34 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 8,747 kr | 87,47 kr |
| 100 - 490 | 7,706 kr | 77,06 kr |
| 500 - 990 | 6,91 kr | 69,10 kr |
| 1000 + | 5,466 kr | 54,66 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 646-615
- Tillv. art.nr:
- HT8KE6HTB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET-arrayer | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 12.5A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | HT8KE6 | |
| Kapseltyp | HSMT-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 60mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 14W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, Halogen Free, Pb Free | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET-arrayer | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 12.5A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie HT8KE6 | ||
Kapseltyp HSMT-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 60mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 14W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.3nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, Halogen Free, Pb Free | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHM Power MOSFET med låg påslagningsresistans och litet formpaket med hög effekt som är lämpligt för omkopplings- och motordrivartillämpningar.
Blyfri plätering
RoHS-kompatibel
Halogenfri
100 % Rg- och UIS-testad
Relaterade länkar
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET 60 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RQ3
- ROHM Dubbel N Kanal, Enkla MOSFETs 150 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, HT8KF6H
- ROHM Dubbel N Kanal, Enkla MOSFETs 80 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, HT8MD5HT
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 39 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSMT
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 60 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RQ3
- ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 135 A 40 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RH6G04
- ROHM Typ P, Typ N Kanal, Enkla MOSFETs 60 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, HT8MC5
- ROHM Typ N, Typ P Kanal, Enkla MOSFETs 40 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, HT8MB5