ROHM 2 Typ N Kanal, MOSFET, 7 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, HT8K
- RS-artikelnummer:
- 264-874
- Tillv. art.nr:
- HT8KE5TB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 10 enheter)*
58,46 kr
(exkl. moms)
73,08 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 100 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 5,846 kr | 58,46 kr |
| 100 - 240 | 5,555 kr | 55,55 kr |
| 250 - 490 | 5,13 kr | 51,30 kr |
| 500 - 990 | 4,726 kr | 47,26 kr |
| 1000 + | 4,558 kr | 45,58 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 264-874
- Tillv. art.nr:
- HT8KE5TB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 7A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | HT8K | |
| Kapseltyp | HSMT-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 193mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal effektförlust Pd | 13W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie HT8K | ||
Kapseltyp HSMT-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 193mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 2.9nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal effektförlust Pd 13W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHMs effekt-MOSFET har en dubbel N-kanalkonfiguration med en nominell spänning på 100 V och en strömkapacitet på 7 A. Utformad i ett HSOP8-paket och erbjuder låg påslagningsresistans.
Låg på-resistans
Litet ytmonterat paket (HSOP8)
Blyfri plätering och RoHS-kompatibel
Halogenfri
Relaterade länkar
- ROHM 2 Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, HT8K
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET 60 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RQ3
- ROHM Dubbel N Kanal, Enkla MOSFETs 150 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, HT8KF6H
- ROHM Dubbel N Kanal, Enkla MOSFETs 80 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, HT8MD5HT
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 39 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSMT
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 60 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RQ3
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 150 V Förbättring, 8 Ben, HSMT, RH6R025BH
- ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 135 A 40 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RH6G04