ROHM N Kanal, MOSFET, 25 A 150 V Förbättring, 8 Ben, HSMT, RH6R025BH

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

120,29 kr

(exkl. moms)

150,36 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 2 925 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4524,058 kr120,29 kr
50 - 9521,46 kr107,30 kr
100 - 24517,316 kr86,58 kr
250 - 99516,956 kr84,78 kr
1000 +14,112 kr70,56 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
266-3859
Tillv. art.nr:
RH6R025BHTB1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

25A

Maximal källspänning för dränering Vds

150V

Serie

RH6R025BH

Kapseltyp

HSMT

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

60mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

16.7nC

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

59W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Fordonsstandard

Nej

ROHMs effekt-MOSFET med låg påslagningsresistans och hög effekt, litet formpaket, lämpligt för omkoppling.

Blyfri plätering

RoHS-kompatibel

Halogenfria

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.