ROHM N Kanal, MOSFET, 39 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSMT

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
RS-artikelnummer:
235-2774
Tillv. art.nr:
RQ3P300BHTB1
Tillverkare / varumärke:
ROHM
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

ROHM

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id)

39 A

Maximal källspänning för dränering (Vds)

100 V

Kanalläge

Förbättring

Antal ben

8

Kapseltyp

HSMT

Fordonsstandard

Nej

Framåtriktad spänning (Vf)

1.2 V

Höjd

3.4 mm

Längd

3.15 mm

Maximal drain-källresistans (Rds)

15.5 mΩ

Maximal spänning för grindkälla (Vgs)

20 V

Maximal arbetstemperatur

150 °C

Maximal effektförlust (Pd)

2 W

Minsta arbetsstemperatur

-55 °C

Typ av fäste

Yta

Standarder/godkännanden

No

Typisk grindladdning (Qg) @ Vgs

36 nC

Bredd

850 μm

The ROHM N channel power MOSFET with low on state resistance has drain to source voltage of 100 V. It is Ideal for switching purpose.

Small surface mount package

Pb-free lead plating

RoHS compliant

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.