ROHM N Kanal, MOSFET, 20 A 60 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RQ3
- RS-artikelnummer:
- 264-477
- Tillv. art.nr:
- RQ3L070BGTB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
För närvarande inte tillgänglig
Tyvärr, vi vet inte när detta kommer att finnas i lager igen.
- RS-artikelnummer:
- 264-477
- Tillv. art.nr:
- RQ3L070BGTB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | HSMT-8 | |
| Serie | RQ3 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 24.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 15W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp HSMT-8 | ||
Serie RQ3 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 24.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Maximal effektförlust Pd 15W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHMs effekt-MOSFET 60 V 20 A erbjuder låg påslagningsresistans, vilket gör den idealisk för primärsidad omkoppling, motorstyrningar och DC-DC-omvandlare.
Låg på-resistans
Litet ytomonterat hölje
Blyfri plätering och överensstämmer med RoHS
Relaterade länkar
- ROHM N Kanal, MOSFET, 15.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RQ3
- ROHM N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RQ3 AEC-Q101
- ROHM N Kanal, MOSFET, 27 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RQ3 AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RQ3 AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 27 A 40 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RQ3 AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 40 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RQ3 AEC-Q101
- ROHM N Kanal, MOSFET, 39 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSMT
- ROHM N Kanal, MOSFET, 25 A 150 V Förbättring, 8 Ben, HSMT, RH6R025BH