ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 60 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RQ3
- RS-artikelnummer:
- 264-477
- Tillv. art.nr:
- RQ3L070BGTB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 10 enheter)*
62,61 kr
(exkl. moms)
78,26 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 90 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 6,261 kr | 62,61 kr |
| 100 - 240 | 5,936 kr | 59,36 kr |
| 250 - 490 | 5,51 kr | 55,10 kr |
| 500 - 990 | 5,062 kr | 50,62 kr |
| 1000 + | 4,894 kr | 48,94 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 264-477
- Tillv. art.nr:
- RQ3L070BGTB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | HSMT-8 | |
| Serie | RQ3 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 24.7mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 15W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 7.6nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp HSMT-8 | ||
Serie RQ3 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 24.7mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 15W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 7.6nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHMs effekt-MOSFET 60 V 20 A erbjuder låg påslagningsresistans, vilket gör den idealisk för primärsidad omkoppling, motorstyrningar och DC-DC-omvandlare.
Låg på-resistans
Litet ytomonterat hölje
Blyfri plätering och överensstämmer med RoHS
Relaterade länkar
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET 60 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RQ3
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 27 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RQ3 AEC-Q101
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RQ3 AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 27 A 40 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RQ3 AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 40 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RQ3 AEC-Q101
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 12 A 60 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RQ3 AEC-Q101
- ROHM Dubbel N Kanal, Enkla MOSFETs 150 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, HT8KF6H
- ROHM Dubbel N Kanal, Enkla MOSFETs 80 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, HT8MD5HT