ROHM 1 N Kanal, MOSFET, 65 A 60 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RH6
- RS-artikelnummer:
- 264-934
- Tillv. art.nr:
- RH6L040BGTB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 10 enheter)*
93,30 kr
(exkl. moms)
116,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 2 870 enhet(er) levereras från den 14 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 9,33 kr | 93,30 kr |
| 100 - 240 | 8,859 kr | 88,59 kr |
| 250 - 490 | 8,21 kr | 82,10 kr |
| 500 - 990 | 7,549 kr | 75,49 kr |
| 1000 + | 7,28 kr | 72,80 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 264-934
- Tillv. art.nr:
- RH6L040BGTB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 65A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | HSMT-8 | |
| Serie | RH6 | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7.1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 59W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 18.8nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 65A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp HSMT-8 | ||
Serie RH6 | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7.1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 59W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 18.8nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Antal element per chip 1 | ||
ROHM Nch 60 V 65 A HSMT8 är en effekt-MOSFET med lågt motstånd på, lämplig för omkoppling, motordrivrutiner, likspännings- eller likspänningsomvandlare.
Litet ytomonterat hölje
Blyfri plätering
RoHS-kompatibel
Relaterade länkar
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET 60 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RQ3
- ROHM Dubbel N Kanal, Enkla MOSFETs 150 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, HT8KF6H
- ROHM Dubbel N Kanal, Enkla MOSFETs 80 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, HT8MD5HT
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 65 A 80 V Avskrivningar, 8 Ben, HSMT-8, RH
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 39 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSMT
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 60 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RQ3
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 150 V Förbättring, 8 Ben, HSMT, RH6R025BH
- ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 135 A 40 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RH6G04