Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 55 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS 5

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

232,40 kr

(exkl. moms)

290,50 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 28 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 4546,48 kr232,40 kr
50 - 9544,172 kr220,86 kr
100 - 49540,858 kr204,29 kr
500 - 99537,676 kr188,38 kr
1000 +36,154 kr180,77 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
349-398
Tillv. art.nr:
BSC152N15LS5ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

Effekt-MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

55A

Maximal källspänning för dränering Vds

150V

Serie

OptiMOS 5

Kapseltyp

PG-TDSON-8

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

15.2mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

96W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

23nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS

Fordonsstandard

Nej

COO (ursprungsland):
CN

Infineon OptiMOS 5-serien effekt-MOSFET, 150 V drain-källspänning, 55 A kontinuerlig drain-ström – BSC152N15LS5ATMA1


Denna effekt-MOSFET är en högspänningstransistor med N-kanal som är utformad för omkopplings- och effektomvandlingsroller i ytmonterade enheter. Den fungerar i ett brett temperaturområde, vilket möjliggör användning i krävande miljöer, och är konstruerad för att uppfylla industrins miljöstandarder samtidigt som den ger primär omkopplingsfunktionalitet för tillämpningar med hög ström.

Funktioner och fördelar:


• 150 V drain-source-klassning möjliggör högspänningsswitchning
• 55 A kontinuerlig ström stöder drift med hög belastning
• 15.2 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster under belastning
• 23 nC typisk grindladdning möjliggör snabba grindövergångar
• 96 W effektförlust upprätthåller värmehanteringsförmåga
• PG-TDSON-8-ytpaket underlättar kompakta kretskortslayouter

Användningsområden


• Lämplig för DC/DC-omvandlare i nätaggregat
• Idealisk för synkronlikriktelse i omvandlare
• Används med motordrivare för elmotorer med medelhög effekt
• Kan användas för batterihantering och laddningssystem
• Lämplig för generell omkoppling med hög strömstyrka

Vilka gränsspänningsgränser bör jag följa för säker drift?


Gate-källspänningen får inte överstiga 20 V för att undvika att skada gate-dielektrin.

Hur beter sig komponenten under extrema temperaturer?


Den är specificerad för att fungera mellan -55 °C och 150 °C, vilket möjliggör drift i både kalla start- och förhöjda temperaturförhållanden utan att minska den grundläggande omkopplingsförmågan.

Vilka monteringsöverväganden gäller för termisk prestanda?


Som en PG-TDSON-8 ytmonterad enhet kräver den tillräcklig koppar för kretskort och termiska ledningar för att dissipera upp till 96 W under specificerade förhållanden.

Är enheten lämplig för fordonsanvändning?


Den är inte klassad som fordonsklassad, så användning i fordonssystem bör övervägas ytterligare kvalificeringssteg.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.