Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 20 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON-8-4, OptiMOS-T2
- RS-artikelnummer:
- 273-2628
- Tillv. art.nr:
- BSC076N04NDATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
108,86 kr
(exkl. moms)
136,075 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 85 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 21,772 kr | 108,86 kr |
| 50 - 495 | 19,802 kr | 99,01 kr |
| 500 - 995 | 15,546 kr | 77,73 kr |
| 1000 - 2495 | 15,232 kr | 76,16 kr |
| 2500 + | 14,874 kr | 74,37 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-2628
- Tillv. art.nr:
- BSC076N04NDATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 20A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | TDSON-8-4 | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 7.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 65W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 20A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp TDSON-8-4 | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 7.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximal effektförlust Pd 65W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons effekt-MOSFET är en N-kanal 40 V effekt-MOSFET. Denna MOSFET är optimerad för drivtillämpningar och är 100 procent avalanche-testad. Den är kvalificerad för industriella tillämpningar enligt relevanta tester i JEDEC47 20 2.
Halogenfria
RoHS-kompatibel
Blyplätering utan bly
MOSFET-transistorer med snabb omkoppling
Överlägsen värmebeständighet
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 20 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON-8-4, OptiMOS-T2
- Infineon Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 55 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 87 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 76 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS 5
- Infineon 2 Typ N Kanal Förbättringsläge, MOSFET, 20 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekttransistor, 16 A 100 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel, Effekttransistor, 20 A 100 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS-T2 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS