Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 220 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-53, OptiMOS 7
- RS-artikelnummer:
- 348-839
- Tillv. art.nr:
- IAUCN10S7N021ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
114,02 kr
(exkl. moms)
142,52 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 22 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 57,01 kr | 114,02 kr |
| 20 - 198 | 51,41 kr | 102,82 kr |
| 200 - 998 | 47,265 kr | 94,53 kr |
| 1000 - 1998 | 43,79 kr | 87,58 kr |
| 2000 + | 39,31 kr | 78,62 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 348-839
- Tillv. art.nr:
- IAUCN10S7N021ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 220A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | PG-TDSON-8-53 | |
| Serie | OptiMOS 7 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 217W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 220A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp PG-TDSON-8-53 | ||
Serie OptiMOS 7 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 217W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon IAU-serien MOSFET, 220 A maximal kontinuerlig drain-ström, 100 V maximal drain-källspänning – IAUCN10S7N021ATMA1
Denna säkerhetsmodul är utformad för robusta automationstillämpningar, med en kompakt design med mått på 128 x 183 x 103 mm. Enheten drivs med en matningsspänning på 230 V AC och är lämplig för användning med solskyddssystem. Den levererar en tillförlitlig 24 V DC-utgång, vilket gör den till en avgörande komponent för att säkerställa säkerheten i elektriska kretsar.
Funktioner & fördelar
• Erbjuder en maximal utgångsström på 6 A för effektiv prestanda
• Har direktmanövreringsfunktionalitet, vilket förenklar användningen
• Integrerad bussanslutning för effektiviserad anslutning
• Fyra digitala utgångar förbättrar kontrollen över solenergiapplikationer
• IP20-skyddsklass säkerställer lämplighet för inomhusmiljöer
• Version med LED-display underlättar tydlig statusövervakning
Användningsområden
• Används för styrning av persienner i solskyddssystem
• Utformad för integrering med solskyddsutrustning inom automation
• Idealisk för att kräva 24 V DC-utgång i industriella miljöer
• Användbar för att implementera säkerhetsåtgärder i elektriska system
Hur klarar denna säkerhetsmodul höga temperaturer under drift?
Den maximala drifttemperaturen för denna modul är +45 °C, vilket säkerställer tillförlitlig prestanda inom specificerade termiska gränser. Detta möjliggör säker drift i miljöer där reglerad temperaturkontroll är avgörande.
Vad gör utformningen av denna produkt lämplig för montering på DIN-skena?
Den fästmetod som är avsedd för denna modell är REG, vilket möjliggör enkel installation på DIN-skensystem, vilket säkerställer säker och stabil montering i olika kontrollpaneler.
Kan den här enheten användas i omfattande automationssystem?
Ja, den integrerade bussanslutningen möjliggör sömlös kommunikation med olika automationssäkerhetskomponenter, vilket gör den till ett effektivt val för större industriella installationer.
Hur förbättrar antalet digitala utgångar dess funktionalitet?
Med fyra digitala utgångar ger denna modul förbättrade möjligheter för styrning av flera funktioner samtidigt, vilket är särskilt fördelaktigt i komplexa solskyddstillämpningar.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 274 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-53, OptiMOS 7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 518 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-53, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 532 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-53, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -59 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -32 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -19.6 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 55 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 87 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS 5
