Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 274 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-53, OptiMOS 7
- RS-artikelnummer:
- 348-837
- Tillv. art.nr:
- IAUCN08S7N013ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
116,37 kr
(exkl. moms)
145,462 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 22 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 58,185 kr | 116,37 kr |
| 20 - 198 | 52,36 kr | 104,72 kr |
| 200 - 998 | 48,27 kr | 96,54 kr |
| 1000 - 1998 | 44,80 kr | 89,60 kr |
| 2000 + | 40,21 kr | 80,42 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 348-837
- Tillv. art.nr:
- IAUCN08S7N013ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 274A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 80V | |
| Kapseltyp | PG-TDSON-8-53 | |
| Serie | OptiMOS 7 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.30mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 219W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 274A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 80V | ||
Kapseltyp PG-TDSON-8-53 | ||
Serie OptiMOS 7 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.30mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 219W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon IAU-serien MOSFET, 274 A maximal kontinuerlig drain-ström, 80 V maximal drain-källspänning - IAUCN08S7N013ATMA1
Denna ingångsmodul är en sofistikerad binär ingångsenhet utformad för integrering i ett KNX-bussystem, lämplig för olika automationsprojekt. Utformad med fyra ingångskanaler, fungerar vid en matningsspänning på 24 V DC och mäter 86,5 x 47,8 x 36,2 mm. Denna ingångsmodul monterad på DIN-skena erbjuder tillförlitlighet för byggnadsautomationsprodukter, vilket underlättar effektiv kommunikation inom Gamma Instabus
Funktioner & fördelar
• Stöd för binär ingång för övervakning av olika kretstillstånd
• Underlättar enkel integrering med automationstillbehör
• Har en maximal kabellängd på 100 m för flexibla installationer
• Utformad för installation i AP 118- eller AP 641-hölje
• Använder en busspänning på 24 V DC för förbättrad energieffektivitet
• Kan övervaka upp till fyra ingångar i realtid
Användningsområden
• Används för övervakning av strömbrytarstatus och larmsignaler
• Idealisk för registrering av drifttillstånd i elinstallationer
• Effektiva i energihanteringssystem för automationslösningar
• Används för att styra belysning och andra elektriska enheter i byggnader
Hur förbättrar denna modul energieffektiviteten i automationssystem?
Möjligheten att arbeta med en låg busspänning på 24 V DC minskar inte bara energiförbrukningen utan minimerar även värmegenerering, vilket stöder hållbara automationsmetoder inom olika tillämpningar.
Vilka är konfigurationskraven för effektiv drift?
Det kräver teknisk verktygsprogramvara (ETS) version ETS3 v3.0f eller senare för installation, vilket säkerställer anpassad programmering av ingångskanalerna för att uppfylla specifika automationsbehov.
Vilka typer av ingångssignaler kan bearbetas av denna modul?
Den kan hantera en
Hur kommunicerar denna enhet inom KNX-systemet?
Kommunikation sker via ett skruvfritt busanslutningsblock, vilket effektiviserar ledningsprocessen och säkerställer säker anslutning inom KNX-infrastrukturen.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 220 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-53, OptiMOS 7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 518 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-53, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 532 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-53, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -59 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -32 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -19.6 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 55 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 87 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS 5