Infineon N Kanal, OptiMOST effekt-MOSFET, 63 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, ISC
- RS-artikelnummer:
- 273-3040
- Tillv. art.nr:
- ISC045N03L5SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (25 enheter, i en förpackning med 25)*
144,92 kr
(exkl. moms)
181,15 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 950 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 5,797 kr | 144,93 kr |
| 50 - 475 | 5,354 kr | 133,85 kr |
| 500 - 975 | 4,968 kr | 124,20 kr |
| 1000 - 2475 | 4,847 kr | 121,18 kr |
| 2500 + | 4,749 kr | 118,73 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-3040
- Tillv. art.nr:
- ISC045N03L5SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | OptiMOST effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 63A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | PG-TDSON-8 | |
| Serie | ISC | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 4.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 13nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 30W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.89V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp OptiMOST effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 63A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp PG-TDSON-8 | ||
Serie ISC | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 4.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 13nC | ||
Maximal effektförlust Pd 30W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.89V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons lågspännings-Effekt-MOSFET erbjuder bred tillgänglighet och konkurrenskraftigt pris/prestanda-förhållande.
Möjliggör kostnadseffektiva lösningar
Snabb leverans
Enkel att designa i
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, OptiMOST effekt-MOSFET, 63 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, ISC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 24 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, ISC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 164 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, ISC
- Infineon N Kanal, MOSFET, 62 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, ISC
- Infineon N Kanal, Effekttransistor, 541 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, ISC
- Infineon N Kanal, Effekttransistor, 142 A 135 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, ISC
- Infineon N Kanal, N-kanals MOSFET, 85 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, ISC
- Infineon N Kanal, Effekttransistor, 170 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8 FL, ISC