Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 87 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS 5
- RS-artikelnummer:
- 349-395
- Tillv. art.nr:
- BSC088N15LS5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
327,04 kr
(exkl. moms)
408,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 5 000 enhet(er) levereras från den 27 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 65,408 kr | 327,04 kr |
| 50 - 95 | 62,092 kr | 310,46 kr |
| 100 + | 57,568 kr | 287,84 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-395
- Tillv. art.nr:
- BSC088N15LS5ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 87A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Kapseltyp | PG-TDSON-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8.8mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.20V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 40nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 139W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 87A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Kapseltyp PG-TDSON-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8.8mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.20V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 40nC | ||
Maximal effektförlust Pd 139W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
Infineon OptiMOS 5-serien effekt-MOSFET, 150 V maximal drain-source-spänning, 139 W maximal effektförlust – BSC088N15LS5ATMA1
Denna effekt-MOSFET är en ytmonterad N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för högströmsomkopplings- och effektomvandlingsuppgifter. Den fungerar i ett brett temperaturområde och är lämplig för tillämpningar som kräver effektiv ledning vid förhöjda spänningar. Enheten har grindskydd och uppfyller erkända material- och temperaturbeständighetsstandarder samtidigt som den uppfyller RoHS-kraven.
Funktioner och fördelar:
• 8,8 mΩ RDS(on) minskar ledningsförluster och förbättrar effektiviteten
• Kontinuerlig dräneringsström på 87 A stöder konstruktioner med hög ström
• 1,20 V framspänning sänker spänningsfallet i tillslagsläge
• 40 nC typisk grindladdning möjliggör snabba växlingsövergångar
• 20 V grindkällgräns ger robust grindskydd
• Kontinuerlig dräneringsström på 87 A stöder konstruktioner med hög ström
• 1,20 V framspänning sänker spänningsfallet i tillslagsläge
• 40 nC typisk grindladdning möjliggör snabba växlingsövergångar
• 20 V grindkällgräns ger robust grindskydd
Användningsområden
• Lämplig för högeffekts-DC-DC-omvandlare i industriell utrustning
• Används med motordrivare som kräver långvarig hög ström
• Idealisk för switchade nätaggregat i telekommunikationssystem
• Kan användas för batterihantering och strömfördelning
• Lämplig för omkoppling med hög effekt och låga förluster i växelriktare
• Används med motordrivare som kräver långvarig hög ström
• Idealisk för switchade nätaggregat i telekommunikationssystem
• Kan användas för batterihantering och strömfördelning
• Lämplig för omkoppling med hög effekt och låga förluster i växelriktare
Vilken värmebeständighet erbjuder den under kontinuerlig drift?
Den är klassad för drift från -55 °C upp till 150 °C, vilket ger ett brett termiskt huvudutrymme för krävande miljöer.
Vilket förpacknings- och monteringssätt stöder kompakta monteringar?
PG‐TDSON‐8-kapseln är avsedd för ytmontering för att möjliggöra utrymmesbesparande kortlayouter.
Vilka standarder och materialbegränsningar gäller för tillverkningen?
Enheten uppfyller DIN IEC 68‐1:55/175/56, IEC 61249‐2‐21 och är RoHS-kompatibel.
Hur uppför sig enheten när det gäller omkopplingsprestanda?
Med en typisk grindladdning på 40 nC och förstärkningskanalfunktion stöder den snabba grindövergångar för effektiv omkoppling.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 55 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS 5
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 76 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS 5
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 20 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON-8-4, OptiMOS-T2
- Infineon N Kanal, Effekt-MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOSTM
- Infineon N Kanal, MOSFET, 220 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-53, OptiMOS 7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 274 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-53, OptiMOS 7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 275 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8 FL, OptiMOS-TM5
- Infineon N Kanal, OptiMOST effekt-MOSFET, 63 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, ISC