Infineon N Kanal, MOSFET, 410 A 40 V Förbättring, 5 Ben, PG-HSOF-5-1, IAUAN04S7N006 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 349-274
- Tillv. art.nr:
- IAUAN04S7N006AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Lägg till 50 till för att spara 108,70 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
217,73 kr
(exkl. moms)
272,16 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- 1 960 enhet(er) är redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 43,546 kr | 217,73 kr | - |
| 50 - 95 | 41,372 kr | 206,86 kr | 108,70 kr |
| 100 + | 38,394 kr | 191,97 kr | 515,20 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-274
- Tillv. art.nr:
- IAUAN04S7N006AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 410A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | IAUAN04S7N006 | |
| Kapseltyp | PG-HSOF-5-1 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.57mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 800mV | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 179W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 94nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, AEC-Q101 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 410A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie IAUAN04S7N006 | ||
Kapseltyp PG-HSOF-5-1 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.57mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 800mV | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 179W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 94nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, AEC-Q101 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon IAU-serien MOSFET, 410 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 40 V maximal dräneringskällspänning - IAUAN04S7N006AUMA1
Funktioner & fördelar
Användningsområden
Vilka typer av verktyg rekommenderas för att använda denna kontakt?
Kan denna kontakt användas i miljöer med höga temperaturer?
Vad betyder förgyllning i denna konnektor?
Vilket utbud av ledningsstorlekar kan hanteras?
Hur påverkar crimpmetoden installationen?
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 570 A 40 V Förbättring, 5 Ben, PG-HSOF-5-5, IAUAN04S7N004 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 330 A 40 V Förbättring, 5 Ben, PG-HSOF-5-2, IAUAN04S7N007 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 455 A 40 V Förbättring, 5 Ben, PG-HSOF-5-1, IAUAN04S7N005 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 200 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-5, IAUA AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-5, IAUA AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 250 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-5, IAUA AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 290 A 40 V Förbättring, 5 Ben, PG-HSOF-5-2, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 200 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF, OptiMOS 5 AEC-Q101
