Infineon N Kanal, MOSFET, 200 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-5, IAUA AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 218-2987
- Tillv. art.nr:
- IAUA200N04S5N010AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 2000 enheter)*
23 198,00 kr
(exkl. moms)
28 998,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2000 + | 11,599 kr | 23 198,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 218-2987
- Tillv. art.nr:
- IAUA200N04S5N010AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 200A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PG-HSOF-5 | |
| Serie | IAUA | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 81W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 200A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PG-HSOF-5 | ||
Serie IAUA | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 81W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon IAUA-serien MOSFET, 40 V maximal drain-source-spänning, 200 A maximal kontinuerlig drain-ström - IAUA200N04S5N010AUMA1
Denna MOSFET är en N-kanalstransistor med hög strömstyrka som är utformad för ytmonterad strömomkoppling och styrning i krävande miljöer. Den fungerar över ett utökat temperaturområde och stöder kvalificering på fordonsnivå, vilket gör den lämplig för tillämpningar som kräver robust termisk tolerans och långvarig hög dräneringsström.
Funktioner och fördelar:
• 1 mΩ RDS(on) minimerar ledningsförluster
• 200 A kontinuerlig ström möjliggör omkoppling vid kraftig belastning
• 40 V avtappningsspänning stöder lågspänningssystem
• 80 nC grindladdning möjliggör förutsägbart omkopplingsbeteende
• 81 W effektförlust hanterar betydande termisk belastning
• 200 A kontinuerlig ström möjliggör omkoppling vid kraftig belastning
• 40 V avtappningsspänning stöder lågspänningssystem
• 80 nC grindladdning möjliggör förutsägbart omkopplingsbeteende
• 81 W effektförlust hanterar betydande termisk belastning
Användningsområden
• Lämplig för energihanteringsmoduler för fordon
• Idealisk för motorstyrsteg med hög strömstyrka
• Används med DC/DC-omvandlare i strömfördelning
• Kan användas för lastomkoppling i industriella styrsystem
• Idealisk för motorstyrsteg med hög strömstyrka
• Används med DC/DC-omvandlare i strömfördelning
• Kan användas för lastomkoppling i industriella styrsystem
Vilka gränsspänningsgränser måste iakttas?
Enheten accepterar grindstyrning upp till 20 V och bör inte överskrida detta värde för att förhindra grindbelastning.
Hur fungerar den i extrema temperaturer?
Den fungerar från -55 °C upp till 175 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med stor termisk variation.
Vilken förpackning och monteringsstil erbjuds?
Komponenten levereras i en PG‐HSOF‐5-förpackning avsedd för ytmontering.
Vilken fordonskvalificering gäller för denna del?
Den uppfyller AEC-Q101-standarden för elektroniska fordonskomponenter.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 200 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-5, IAUA AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-5, IAUA AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 250 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-5, IAUA AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 40 V Förbättring, 5 Ben, HSOF, IAUA
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 200 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 330 A 40 V Förbättring, 5 Ben, PG-HSOF-5-2, IAUAN04S7N007 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 410 A 40 V Förbättring, 5 Ben, PG-HSOF-5-1, IAUAN04S7N006 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 455 A 40 V Förbättring, 5 Ben, PG-HSOF-5-1, IAUAN04S7N005 AEC-Q101