Infineon N Kanal, MOSFET, 330 A 40 V Förbättring, 5 Ben, PG-HSOF-5-2, IAUAN04S7N007 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 349-275
- Tillv. art.nr:
- IAUAN04S7N007AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
182,11 kr
(exkl. moms)
227,64 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 860 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 36,422 kr | 182,11 kr |
| 50 - 95 | 34,586 kr | 172,93 kr |
| 100 - 495 | 32,076 kr | 160,38 kr |
| 500 - 995 | 29,524 kr | 147,62 kr |
| 1000 + | 28,448 kr | 142,24 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-275
- Tillv. art.nr:
- IAUAN04S7N007AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 330A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PG-HSOF-5-2 | |
| Serie | IAUAN04S7N007 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.72mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 72nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 149W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.8V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101, RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 330A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PG-HSOF-5-2 | ||
Serie IAUAN04S7N007 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.72mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 72nC | ||
Maximal effektförlust Pd 149W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.8V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101, RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon IAU-serien MOSFET, 330 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 40 V maximal dräneringskällspänning - IAUAN04S7N007AUMA1
Denna halvledarkontaktor är utformad för effektiv styrning i elektriska system. Med en total bredd på 22,5 mm och ett djup på 88 mm har denna kompakta enhet en 1NO-kontaktkonfiguration, vilket gör den lämplig för tillämpningar som kräver exakt omkoppling. Den fungerar med en spolspänning på 24 V DC, som stöder en lastspänning. Enheten kan hantera kontaktströmmar på upp till 10,5 A, vilket säkerställer robust prestanda i olika industriella miljöer.
Funktioner & fördelar
• Använder nollpunktsväxling för exakt styrning
• Hanterar upp till 600 V nominell kontaktspänning
• Har snäppmontering för enkel installation
• Stöder en maximal belastningsström på 10 A
• Fungerar effektivt inom ett temperaturområde på -25 °C till +60 °C
• Innehåller en tillförlitlig design för långvarig hållbarhet
Användningsområden
• Används för automationsprocesser inom tillverkning
• Effektiv i HVAC-system för effektiv motorstyrning
• Idealisk för belysningsstyrning i industriella miljöer
• Används i verktygsmaskiner för ökad säkerhet
• Lämplig för transportörssystem som kräver exakt drift
Vad är betydelsen av nollpunktsomkopplingsfunktionen?
Denna funktion förbättrar switcharnas tillförlitlighet genom att säkerställa att den endast aktiveras när lasten är vid nollspänning, vilket minimerar slitage och ger en längre livslängd.
Kan den här enheten tåla tuffa miljöer?
Ja, den fungerar effektivt mellan -25 °C och +60 °C, vilket gör den lämplig för olika industriella miljöer.
Vad är den maximala strömstötsströmmen den kan hantera?
Den är klassad för en maximal stötström på 200 A, vilket säkerställer att den kan hantera transientbelastningar effektivt.
Hur kan jag ansluta enheten till den elektriska kretsen?
Den har en ringkabelanslutning för huvudkretsen och en ringterminalanslutning för hjälpkretsar, vilket möjliggör säkra och mångsidiga anslutningar.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 570 A 40 V Förbättring, 5 Ben, PG-HSOF-5-5, IAUAN04S7N004 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 410 A 40 V Förbättring, 5 Ben, PG-HSOF-5-1, IAUAN04S7N006 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 455 A 40 V Förbättring, 5 Ben, PG-HSOF-5-1, IAUAN04S7N005 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 250 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-5, IAUA AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-5, IAUA AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 290 A 40 V Förbättring, 5 Ben, PG-HSOF-5-2, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 200 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF, OptiMOS 5 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, Enkla MOSFETs, 60 A 600 V Förbättring, 3 Ben, PG-HSOF-8, OptiMOS 6 AEC-Q101
