Infineon N Kanal, MOSFET, 330 A 40 V Förbättring, 5 Ben, PG-HSOF-5-2, IAUAN04S7N007 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 349-275
- Tillv. art.nr:
- IAUAN04S7N007AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Lägg till 50 till för att spara 5%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
182,11 kr
(exkl. moms)
227,64 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- Dessutom levereras 1 860 enhet(er) från den 09 november 2026
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 36,422 kr | 182,11 kr | - |
| 50 - 95 | 34,586 kr | 172,93 kr | 5% |
| 100 - 495 | 32,076 kr | 160,38 kr | 11% |
| 500 - 995 | 29,524 kr | 147,62 kr | 18% |
| 1000 + | 28,448 kr | 142,24 kr | 21% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-275
- Tillv. art.nr:
- IAUAN04S7N007AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 330A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PG-HSOF-5-2 | |
| Serie | IAUAN04S7N007 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.72mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 149W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 72nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 800mV | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101, RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 330A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PG-HSOF-5-2 | ||
Serie IAUAN04S7N007 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.72mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 149W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 72nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 800mV | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101, RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon IAU-serien MOSFET, 330 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 40 V maximal dräneringskällspänning - IAUAN04S7N007AUMA1
Funktioner & fördelar
Användningsområden
Vad är betydelsen av nollpunktsomkopplingsfunktionen?
Kan den här enheten tåla tuffa miljöer?
Vad är den maximala strömstötsströmmen den kan hantera?
Hur kan jag ansluta enheten till den elektriska kretsen?
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 570 A 40 V Förbättring, 5 Ben, PG-HSOF-5-5, IAUAN04S7N004 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 410 A 40 V Förbättring, 5 Ben, PG-HSOF-5-1, IAUAN04S7N006 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 455 A 40 V Förbättring, 5 Ben, PG-HSOF-5-1, IAUAN04S7N005 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 200 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-5, IAUA AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-5, IAUA AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 250 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-5, IAUA AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 290 A 40 V Förbättring, 5 Ben, PG-HSOF-5-2, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 200 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF, OptiMOS 5 AEC-Q101
