Infineon N Kanal, MOSFET, 455 A 40 V Förbättring, 5 Ben, PG-HSOF-5-1, IAUAN04S7N005 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 349-272
- Tillv. art.nr:
- IAUAN04S7N005AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Lägg till 50 till för att spara 120,90 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
243,26 kr
(exkl. moms)
304,08 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- 2 000 enhet(er) är redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 48,652 kr | 243,26 kr | - |
| 50 - 95 | 46,234 kr | 231,17 kr | 120,90 kr |
| 100 + | 42,828 kr | 214,14 kr | 582,40 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-272
- Tillv. art.nr:
- IAUAN04S7N005AUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 455A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PG-HSOF-5-1 | |
| Serie | IAUAN04S7N005 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 5 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.51mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 198W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 110nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 800mV | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS, AEC-Q101 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 455A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PG-HSOF-5-1 | ||
Serie IAUAN04S7N005 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 5 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.51mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 198W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 110nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 800mV | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS, AEC-Q101 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon IAU-serien MOSFET, 455 A maximal kontinuerlig dräneringsström, 40 V maximal dräneringskällspänning - IAUAN04S7N005AUMA1
Funktioner & fördelar
Användningsområden
Vilka material används vid tillverkningen av denna kontakt?
Hur förbättrar crimptermineringsmetoden anslutningsförmågan?
Vilka kabelstorlekar är kompatibla med den här kontakten?
Vilka är de viktigaste fördelarna med att använda förgyllda kontakter?
Hur är den här konnektorn tillämplig i automationssystem?
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 570 A 40 V Förbättring, 5 Ben, PG-HSOF-5-5, IAUAN04S7N004 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 330 A 40 V Förbättring, 5 Ben, PG-HSOF-5-2, IAUAN04S7N007 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 410 A 40 V Förbättring, 5 Ben, PG-HSOF-5-1, IAUAN04S7N006 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 200 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-5, IAUA AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 120 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-5, IAUA AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 250 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF-5, IAUA AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 290 A 40 V Förbättring, 5 Ben, PG-HSOF-5-2, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 200 A 80 V Förbättring, 8 Ben, PG-HSOF, OptiMOS 5 AEC-Q101
