Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, CoolSiC
- RS-artikelnummer:
- 348-981
- Tillv. art.nr:
- FS33MR12W1M1HB70BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 enhet)*
1 687,95 kr
(exkl. moms)
2 109,94 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 24 enhet(er) från den 08 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 1 687,95 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 348-981
- Tillv. art.nr:
- FS33MR12W1M1HB70BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 25A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | EasyPACK | |
| Serie | CoolSiC | |
| Typ av fäste | Skruv | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 60.2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 20mW | |
| Framåtriktad spänning Vf | 5.35V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC 60068, IEC 60749, IEC 61140, IEC 60747 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 25A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp EasyPACK | ||
Serie CoolSiC | ||
Typ av fäste Skruv | ||
Maximal drain-källresistans Rds 60.2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 20mW | ||
Framåtriktad spänning Vf 5.35V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden IEC 60068, IEC 60749, IEC 61140, IEC 60747 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- DE
The Infineon EasyPACK 1B CoolSiC MOSFET Six-Pack Module is engineered for high performance power applications, featuring best-in-class packaging with a compact 12.25 mm height for optimized space efficiency. Built with leading-edge Wide Bandgap (WBG) materials, it offers superior efficiency, thermal performance, and long-term reliability. Powered by Enhanced CoolSiC MOSFET Gen 1, it ensures advanced thermal management and high energy efficiency in demanding environments.
Outstanding module efficiency
System cost advantages
System efficiency improvement
Reduced cooling requirements
Enabling higher frequency
Increase of power density
Better thermal conductivity of DCB material
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, CoolSiC Trench MOSFET
- Infineon Halvbrygga N-kanal Kanal, MOSFET-moduler, 95 A 1200 V Förbättring, 22 Ben, EasyPACK, EasyPACK
- Infineon Halvbrygga N-kanal Kanal, MOSFET-moduler, 60 A 1200 V Förbättring, 22 Ben, EasyPACK, EasyPACK
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, FS13MR12W2M1H_C55
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, FF11MR12W2M1H_B70
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 62.5 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, FS13MR12W2M1H_C55
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, FF11MR12W2M1HP_B11
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 65 A 1200 V Förbättring, Fack, EasyPACK