Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, CoolSiC
- RS-artikelnummer:
- 348-981
- Tillv. art.nr:
- FS33MR12W1M1HB70BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 enhet)*
948,86 kr
(exkl. moms)
1 186,08 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 24 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 + | 948,86 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 348-981
- Tillv. art.nr:
- FS33MR12W1M1HB70BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 25A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Kapseltyp | EasyPACK | |
| Serie | CoolSiC | |
| Typ av fäste | Skruv | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 60.2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 5.35V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 20mW | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | IEC 60068, IEC 60749, IEC 61140, IEC 60747 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 25A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Kapseltyp EasyPACK | ||
Serie CoolSiC | ||
Typ av fäste Skruv | ||
Maximal drain-källresistans Rds 60.2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 5.35V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal effektförlust Pd 20mW | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden IEC 60068, IEC 60749, IEC 61140, IEC 60747 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- DE
Infineons EasyPACK 1B CoolSiC MOSFET Six-Pack-modul är utformad för högpresterande strömtillämpningar, med klassens bästa förpackning med en kompakt höjd på 12,25 mm för optimerad utrymmeseffektivitet. Den är tillverkad av ledande WBG-material (Wide Bandgap) och erbjuder överlägsen effektivitet, termiska prestanda och långvarig tillförlitlighet. Den drivs av Enhanced CoolSiC MOSFET Gen 1, vilket säkerställer avancerad värmehantering och hög energieffektivitet i krävande miljöer.
Enastående modulseffektivitet
Systemets kostnadsfördelar
Förbättrad systemeffektivitet
Minskade kylkrav
Möjliggör högre frekvens
Ökad effekttäthet
Bättre värmeledningsförmåga för DCB-material
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, CoolSiC Trench MOSFET
- Infineon Halvbrygga N-kanal Kanal, MOSFET-moduler, 95 A 1200 V Förbättring, 22 Ben, EasyPACK, EasyPACK
- Infineon Halvbrygga N-kanal Kanal, MOSFET-moduler, 60 A 1200 V Förbättring, 22 Ben, EasyPACK, EasyPACK
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 62.5 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, FS13MR12W2M1H_C55
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, FF11MR12W2M1HP_B11
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, FF11MR12W2M1H_B70
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 65 A 1200 V Förbättring, Fack, EasyPACK
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 1200 V Förbättring, EasyPACK, FS13MR12W2M1H_C55