Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -59 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- RS-artikelnummer:
- 285-053
- Tillv. art.nr:
- ISC240P06LMATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 50 till för att spara 4%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
171,36 kr
(exkl. moms)
214,20 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 34,272 kr | 171,36 kr | - |
| 50 - 95 | 32,614 kr | 163,07 kr | 4% |
| 100 - 495 | 30,196 kr | 150,98 kr | 11% |
| 500 - 995 | 27,776 kr | 138,88 kr | 18% |
| 1000 + | 26,724 kr | 133,62 kr | 22% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 285-053
- Tillv. art.nr:
- ISC240P06LMATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ P | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | -59A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | PG-TDSON-8 | |
| Serie | OptiMOS Power Transistor | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 24mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 188W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS Compliant | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ P | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id -59A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp PG-TDSON-8 | ||
Serie OptiMOS Power Transistor | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 24mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 188W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS Compliant | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon MOSFET är en banbrytande P-kanal MOSFET som är utformad för att leverera enastående prestanda i strömhanteringstillämpningar. Med en nominell spänning på 60 V utmärker den sig både när det gäller hög effektivitet och lågt motstånd vid tändning, vilket säkerställer minimal effektförlust under drift. Dess robusta design är 100 % lavintestad, vilket ger sinnesfrid för ingenjörer som söker pålitliga lösningar i krävande miljöer. Transistorn fungerar på logisk nivå, vilket gör den lämplig för en mängd olika styrscenarier i industriella tillämpningar.
Injektionsgjuten för värmehantering
Validerad enligt JEDEC-standarder för tillförlitlighet
RoHS-kompatibel för miljövänlighet
Halogenfria material för hållbarhet
Optimerad för höghastighetsomkopplingseffektivitet
Relaterade länkar
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -59 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -32 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -22 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -19.6 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS Power Transistor
- Infineon N Kanal, MOSFET, 63 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon N Kanal, MOSFET, 86 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon 1 N Kanal, MOSFET, 163 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8 FL, OptiMOS 6 Power Transistor
- Infineon N Kanal, MOSFET, 220 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-53, OptiMOS 7