Infineon N Kanal, MOSFET, 532 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-53, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 349-280
- Tillv. art.nr:
- IAUCN04S7L004ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Lägg till 50 till för att spara 5%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
223,10 kr
(exkl. moms)
278,90 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
- 5 000 enhet(er) är redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 44,62 kr | 223,10 kr | - |
| 50 - 95 | 42,38 kr | 211,90 kr | 5% |
| 100 + | 39,268 kr | 196,34 kr | 11% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 349-280
- Tillv. art.nr:
- IAUCN04S7L004ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 532A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Kapseltyp | PG-TDSON-8-53 | |
| Serie | OptiMOS-TM7 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.59mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 219W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 800mV | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 146nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 16V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101, RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 532A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Kapseltyp PG-TDSON-8-53 | ||
Serie OptiMOS-TM7 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.59mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 219W | ||
Framåtriktad spänning Vf 800mV | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 146nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 16V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101, RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
Infineon IAU-serien MOSFET, 532 A maximal kontinuerlig drain-ström, 40 V maximal drain-källspänning – IAUCN04S7L004ATMA1
Funktioner & fördelar
Användningsområden
Vilka åtgärder finns på plats för att säkerställa operativ effektivitet i olika miljöer?
Hur underlättar detta relä snabba säkerhetsresponstider?
Vilken typ av terminaler använder reläet för elektriska anslutningar?
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 518 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-53, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 268 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-34, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 370 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-43, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 100 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-33, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 214 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-34, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 139 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-33, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 179 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-34, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 144 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PG-TDSON-8-33, OptiMOS-TM7 AEC-Q101
