STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 350 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 330-579
- Tillv. art.nr:
- STL325N4F8AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
35,17 kr
(exkl. moms)
43,96 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 3 000 enhet(er) från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 35,17 kr |
| 10 - 99 | 31,58 kr |
| 100 - 499 | 29,34 kr |
| 500 - 999 | 27,10 kr |
| 1000 + | 24,08 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 330-579
- Tillv. art.nr:
- STL325N4F8AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 350A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | STL | |
| Kapseltyp | PowerFLAT | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.85mΩ | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 188W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 80nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.1V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 350A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie STL | ||
Kapseltyp PowerFLAT | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.85mΩ | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 188W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 80nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.1V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
RoHS-status: Undantagen
STMicroelectronics N-kanalförstärkningsläge Power MOSFET designad i STripFET F8-teknik, med en förbättrad grindstruktur. Den levererar en toppmodern meritfaktor med mycket låg påslagningsresistans, minskad intern kapacitans och grindladdning, vilket möjliggör snabbare och mer effektiv omkoppling.
100 % avalanche-testade
Låg grindladdning Qg
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 350 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 167 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 304 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 12 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 290 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 373 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT (3,3 x 3,3), STL AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, STripFET F8 effekt-MOSFET, 154 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, N-kanals MOSFET, 154 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL