STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 350 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT, STL AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

24,75 kr

(exkl. moms)

30,94 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare

Enheter
Per enhet
1 - 924,75 kr
10 - 9922,18 kr
100 - 49920,61 kr
500 - 99919,04 kr
1000 +16,91 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
330-579
Tillv. art.nr:
STL325N4F8AG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

350A

Maximal källspänning för dränering Vds

40V

Kapseltyp

PowerFLAT

Serie

STL

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.85mΩ

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal effektförlust Pd

188W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

80nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

AEC-Q101

Fordonsstandard

AEC-Q101

RoHS-status: Undantagen

The STMicroelectronics N-channel enhancement mode Power MOSFET designed in STripFET F8 technology, featuring an enhanced trench gate structure. It delivers a state-of-the-art figure of merit with very low on-state resistance, reduced internal capacitances, and gate charge, enabling faster and more efficient switching.

100% avalanche tested

Low gate charge Qg

Relaterade länkar