ROHM 2 Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8K
- RS-artikelnummer:
- 264-871
- Tillv. art.nr:
- HP8KE6TB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 5 enheter)*
112,90 kr
(exkl. moms)
141,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 40 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 22,58 kr | 112,90 kr |
| 50 - 95 | 21,392 kr | 106,96 kr |
| 100 - 495 | 19,802 kr | 99,01 kr |
| 500 - 995 | 18,278 kr | 91,39 kr |
| 1000 + | 17,584 kr | 87,92 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 264-871
- Tillv. art.nr:
- HP8KE6TB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 17A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | HSOP-8 | |
| Serie | HP8K | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 54mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 21W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 17A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp HSOP-8 | ||
Serie HP8K | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 54mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Maximal effektförlust Pd 21W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHMs effekt-MOSFET har en dubbel N-kanalkonfiguration med en nominell spänning på 100 V och en strömkapacitet på 17 A. Utformad i ett HSOP8-paket och erbjuder låg påslagningsresistans.
Låg på-resistans
Litet ytmonterat paket (HSOP8)
Blyfri plätering och RoHS-kompatibel
Halogenfri
Relaterade länkar
- ROHM 2 Typ N Kanal Nch + Nch, MOSFET 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8K
- ROHM 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel (Nch+Pch), MOSFET 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8K
- ROHM Dubbel N Kanal, Enkla MOSFETs 150 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8KF7H
- ROHM Typ N Kanal, Enkla MOSFETs -40 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, RS6G122CH
- ROHM 2 Typ N Kanal, MOSFET 60 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8
- ROHM Typ P Kanal, MOSFET, 43 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, RS1
- ROHM Dubbel N Kanal, MOSFET, 6.5 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HT8KE5H
- ROHM Typ N Kanal, MOSFET, 270 A 30 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, RS6