ROHM 2 N Kanal Nch + Nch, MOSFET, 24 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8K
- RS-artikelnummer:
- 264-873
- Tillv. art.nr:
- HP8KE7TB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (5 enheter, på ett band med 5)*
89,94 kr
(exkl. moms)
112,43 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 17,988 kr | 89,94 kr |
| 50 - 95 | 17,114 kr | 85,57 kr |
| 100 - 495 | 15,836 kr | 79,18 kr |
| 500 - 995 | 14,604 kr | 73,02 kr |
| 1000 + | 14,022 kr | 70,11 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 264-873
- Tillv. art.nr:
- HP8KE7TB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 24A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | HSOP-8 | |
| Serie | HP8K | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 19.6mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 26W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 19.8nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Nch + Nch | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 24A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp HSOP-8 | ||
Serie HP8K | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 19.6mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 26W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 19.8nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Nch + Nch | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHMs effekt-MOSFET har en dubbel N-kanalkonfiguration med en nominell spänning på 100 V och en strömkapacitet på 24 A. Utformad i ett HSOP8-paket och erbjuder låg påslagningsresistans.
Låg på-resistans
Litet ytmonterat paket (HSOP8)
Blyfri plätering och RoHS-kompatibel
Halogenfri
Relaterade länkar
- ROHM 2 Typ N, Typ P Kanal Dubbel (Nch+Pch), MOSFET 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8K
- ROHM 2 N Kanal Nch + Nch, MOSFET 40 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8
- ROHM 2 N Kanal, MOSFET, 17 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8K
- ROHM 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel (Nch+Pch), MOSFET 40 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8
- ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs -40 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, RS6G122CH
- ROHM 2 N Kanal, MOSFET 60 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8
- ROHM Dubbel N Kanal, Enkla MOSFETs 150 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, HP8KF7H
- ROHM N Kanal, MOSFET, 135 A 80 V Förbättring, 8 Ben, HSOP-8, RS6