ROHM 2 N Kanal, MOSFET, 15 A 60 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, HT8
- RS-artikelnummer:
- 264-489
- Tillv. art.nr:
- HT8KC6TB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 10 enheter)*
90,50 kr
(exkl. moms)
113,10 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 100 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 9,05 kr | 90,50 kr |
| 100 - 240 | 8,602 kr | 86,02 kr |
| 250 - 490 | 7,974 kr | 79,74 kr |
| 500 - 990 | 7,336 kr | 73,36 kr |
| 1000 + | 7,056 kr | 70,56 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 264-489
- Tillv. art.nr:
- HT8KC6TB1
- Tillverkare / varumärke:
- ROHM
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | ROHM | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 15A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | HSMT-8 | |
| Serie | HT8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 29mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 14W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke ROHM | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 15A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp HSMT-8 | ||
Serie HT8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 29mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 14W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ROHMs dubbla Nch plus Nch effekt-MOSFET 60 V 15 A har låg påslagningsresistans, vilket gör den idealisk för omkopplingstillämpningar.
Låg på-resistans
Hög effekt, liten formpaket HSMT8
Blyfri plätering och överensstämmer med RoHS
Halogenfri
Relaterade länkar
- ROHM N Kanal, MOSFET 60 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RQ3
- ROHM N Kanal, MOSFET, 39 A 100 V Förbättring, 8 Ben, HSMT
- ROHM Dubbel N Kanal, Enkla MOSFETs 150 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, HT8KF6H
- ROHM Dubbel N Kanal, Enkla MOSFETs 80 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, HT8MD5HT
- ROHM N Kanal, MOSFET, 20 A 60 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RQ3
- ROHM N Kanal, MOSFET, 25 A 150 V Förbättring, 8 Ben, HSMT, RH6R025BH
- ROHM N Kanal, Enkla MOSFETs, 135 A 40 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, RH6G04
- ROHM 2 N Kanal, MOSFET, 10 A 60 V Förbättring, 8 Ben, HSMT-8, HP8