STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247-4, SCT AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 215-236
- Tillv. art.nr:
- SCT055W65G3-4AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 30 enheter)*
3 685,26 kr
(exkl. moms)
4 606,56 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 15 juni 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | 122,842 kr | 3 685,26 kr |
| 150 + | 115,106 kr | 3 453,18 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-236
- Tillv. art.nr:
- SCT055W65G3-4AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 30A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | SCT | |
| Kapseltyp | Hip-247-4 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 58mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 22V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 210W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 32nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 200°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 30A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie SCT | ||
Kapseltyp Hip-247-4 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 58mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 22V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 210W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 32nC | ||
Maximal arbetstemperatur 200°C | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics silikonkarbid Power MOSFET-enhet har utvecklats med ST:s avancerade och innovativa 3:e generationens SiC MOSFET-teknik. Enheten har en mycket låg RDS(on) över hela temperaturområdet i kombination med låga kapaciteter och mycket höga omkopplingsoperationer, vilket förbättrar applikationsprestanda när det gäller frekvens, energieffektivitet, systemstorlek och viktminskning.
Växlingsprestanda med hög hastighet
Mycket snabb och robust inre kroppsdiod
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 60 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 30 A 1.2 kV Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 56 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 40 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 100 A 1.2 kV Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 29 A 1.2 kV Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101