STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 30 A 1.2 kV Förbättring, 4 Ben, Hip-247-4, SCT AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 30 enheter)*

3 371,31 kr

(exkl. moms)

4 214,13 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 30 enhet(er) från den 26 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 +112,377 kr3 371,31 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
215-244
Tillv. art.nr:
SCT070W120G3-4AG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

30A

Maximal källspänning för dränering Vds

1.2kV

Serie

SCT

Kapseltyp

Hip-247-4

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

63mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-10V, 22V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

41nC

Maximal effektförlust Pd

236W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

200°C

Standarder/godkännanden

AEC-Q101

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN
STMicroelectronics silikonkarbid Power MOSFET-enhet har utvecklats med ST:s avancerade och innovativa 3:e generationens SiC MOSFET-teknik. Enheten har en mycket låg RDS(on) över hela temperaturområdet i kombination med låga kapaciteter och mycket höga omkopplingsoperationer, vilket förbättrar applikationsprestanda när det gäller frekvens, energieffektivitet, systemstorlek och viktminskning.

Extremt låg grindladdning och ingångskapacitet

Mycket snabb och robust inre kroppsdiod

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.