STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 215-223
- Tillv. art.nr:
- SCT015W120G3-4AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
427,39 kr
(exkl. moms)
534,24 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 427,39 kr |
| 10 - 99 | 422,13 kr |
| 100 + | 416,86 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-223
- Tillv. art.nr:
- SCT015W120G3-4AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 29A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1200V | |
| Serie | SCT | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 20mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 673W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 167nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 200°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 29A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1200V | ||
Serie SCT | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 20mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 673W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 167nC | ||
Maximal arbetstemperatur 200°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics silikonkarbid Power MOSFET-enhet har utvecklats med ST:s avancerade och innovativa 3:e generationens SiC MOSFET-teknik. Enheten har en mycket låg RDS(on) över hela temperaturområdet i kombination med låga kapaciteter och mycket höga omkopplingsoperationer, vilket förbättrar applikationsprestanda när det gäller frekvens, energieffektivitet, systemstorlek och viktminskning.
Extremt låg grindladdning och ingångskapacitet
Mycket snabb och robust inre kroppsdiod
Relaterade länkar
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 29 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 56 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 900 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101