STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 60 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rör med 30 enheter)*

7 265,79 kr

(exkl. moms)

9 082,23 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 30 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 +242,193 kr7 265,79 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
215-228
Tillv. art.nr:
SCT027W65G3-4AG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

60A

Maximal källspänning för dränering Vds

650V

Serie

SCT

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

29mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

3V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

51nC

Maximal effektförlust Pd

313W

Maximal arbetstemperatur

200°C

Standarder/godkännanden

AEC-Q101

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

High speed switching performances

Very fast and robust intrinsic body diode

Relaterade länkar