STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 55 A 650 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247-4, SCT AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 482-971
- Tillv. art.nr:
- SCT018W65G3-4AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Få en mängdrabatt
Lägg till 5 till för att spara 1%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
189,50 kr
(exkl. moms)
236,88 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 318 enhet(er) från den 16 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 4 | 189,50 kr | - |
| 5 + | 187,26 kr | 1% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 482-971
- Tillv. art.nr:
- SCT018W65G3-4AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 55A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Serie | SCT | |
| Kapseltyp | Hip-247-4 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 200°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 | |
| Bredd | 21.1mm | |
| Höjd | 5.1mm | |
| Längd | 15.9mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 55A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Serie SCT | ||
Kapseltyp Hip-247-4 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 200°C | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 | ||
Bredd 21.1mm | ||
Höjd 5.1mm | ||
Längd 15.9mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics silikonkarbid Power MOSFET-enhet har utvecklats med ST:s avancerade och innovativa 3:e generationens SiC MOSFET-teknik. Enheten har en mycket låg RDS(on) över hela temperaturområdet i kombination med låga kapaciteter och mycket höga omkopplingsoperationer, vilket förbättrar applikationsprestanda när det gäller frekvens, energieffektivitet, systemstorlek och viktminskning.
AEC-Q101-godkänd
Mycket låg RDS(on) över hela temperaturområdet
Växlingsprestanda med hög hastighet
Mycket snabb och robust inre kroppsdiod
Källdetekteringsstift för ökad effektivitet
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247-4, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 60 A 650 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247-4, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 56 A 1.2 kV Förbättring, 4 Ben, Hip-247-4, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 29 A 1.2 kV Förbättring, 4 Ben, Hip-247-4, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 40 A 1.2 kV Förbättring, 4 Ben, Hip-247-4, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 100 A 1.2 kV Förbättring, 4 Ben, Hip-247-4, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 30 A 1.2 kV Förbättring, 4 Ben, Hip-247-4, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 110 A 900 V Förbättring, 4 Ben, Hip-247-4, SCT AEC-Q101