STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 1200 V Förbättring, 4 Ben, SCT AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

706,83 kr

(exkl. moms)

883,54 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare

Enheter
Per enhet
1 - 9706,83 kr
10 +636,16 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
215-070
Tillv. art.nr:
SCT020W120G3-4AG
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

100A

Maximal källspänning för dränering Vds

1200V

Serie

SCT

Typ av fäste

Genomgående hål

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

18.5mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

3V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

121nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

541W

Maximal arbetstemperatur

200°C

Standarder/godkännanden

AEC-Q101

Fordonsstandard

AEC-Q101

COO (ursprungsland):
CN
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.

Extremely low gate charge and input capacitance

Very fast and robust intrinsic body diode

Relaterade länkar