STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 100 A 1.2 kV Förbättring, 4 Ben, Hip-247-4, SCT AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 215-070
- Tillv. art.nr:
- SCT020W120G3-4AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Få en mängdrabatt
Lägg till 10 till för att spara 44,80 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
353,36 kr
(exkl. moms)
441,70 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 30 enhet(er) levereras från den 16 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 353,36 kr | - |
| 10 - 99 | 348,88 kr | 44,80 kr |
| 100 - 599 | 344,74 kr | 862,00 kr |
| 600 + | 340,59 kr | 7 662,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-070
- Tillv. art.nr:
- SCT020W120G3-4AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 1.2kV | |
| Serie | SCT | |
| Kapseltyp | Hip-247-4 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 18.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 3V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 121nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 541W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 22V | |
| Maximal arbetstemperatur | 200°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 1.2kV | ||
Serie SCT | ||
Kapseltyp Hip-247-4 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 18.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 3V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 121nC | ||
Maximal effektförlust Pd 541W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 22V | ||
Maximal arbetstemperatur 200°C | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
STMicroelectronics silikonkarbid Power MOSFET-enhet har utvecklats med ST:s avancerade och innovativa 3:e generationens SiC MOSFET-teknik. Enheten har en mycket låg RDS(on) över hela temperaturområdet i kombination med låga kapaciteter och mycket höga omkopplingsoperationer, vilket förbättrar applikationsprestanda när det gäller frekvens, energieffektivitet, systemstorlek och viktminskning.
Extremt låg grindladdning och ingångskapacitet
Mycket snabb och robust inre kroppsdiod
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 100 A 1.2 kV Förbättring, 4 Ben, Hip-247-4, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 56 A 1.2 kV Förbättring, 4 Ben, Hip-247-4, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 29 A 1.2 kV Förbättring, 4 Ben, Hip-247-4, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 40 A 1.2 kV Förbättring, 4 Ben, Hip-247-4, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 30 A 1.2 kV Förbättring, 4 Ben, Hip-247-4, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, Effekt-MOSFET, 56 A 1.2 kV Förbättring, 4 Ben, Hip-247-4, Sct
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 60 A 1.2 kV Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 56 A 1.2 kV Förbättring, 3 Ben, Hip-247, SCT AEC-Q101