IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 61 A 500 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

370,19 kr

(exkl. moms)

462,74 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 37 enhet(er) levereras från den 11 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 4370,19 kr
5 +319,31 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
194-568
Distrelec artikelnummer:
302-53-377
Tillv. art.nr:
IXFN64N50P
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

61A

Maximal källspänning för dränering Vds

500V

Serie

HiperFET, Polar

Kapseltyp

SOT-227

Fästetyp

Panel

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

85mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

150nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Maximal effektförlust Pd

700W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

38.23mm

Höjd

9.6mm

Bredd

25.42 mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™-serie


N-kanaliga effekt-MOSFET:er med snabb inbyggd diod (HiPerFET™) från IXYS

MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS