IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 1 kV Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

569,18 kr

(exkl. moms)

711,48 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 38 enhet(er) från den 30 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 4569,18 kr
5 - 19500,42 kr
20 - 49467,26 kr
50 - 99455,39 kr
100 +443,97 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
194-091
Tillv. art.nr:
IXFN24N100
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

24A

Maximal källspänning för dränering Vds

1kV

Serie

HiperFET

Kapseltyp

SOT-227

Fästetyp

Panel

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

390mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.5V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

267nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20 V

Maximal effektförlust Pd

568W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

25.42 mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

38.23mm

Höjd

9.6mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™-serie


MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar