IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 36 A 1 kV Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET

Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

855,12 kr

(exkl. moms)

1 068,90 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 29 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
1 - 1855,12 kr
2 - 4812,34 kr
5 +769,66 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
193-795
Tillv. art.nr:
IXFN36N100
Tillverkare / varumärke:
IXYS
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

IXYS

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

36A

Maximal källspänning för dränering Vds

1kV

Serie

HiperFET

Kapseltyp

SOT-227

Typ av fäste

Panel

Antal ben

4

Maximal drain-källresistans Rds

240mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal effektförlust Pd

700W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

380nC

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

9.6mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

38.23mm

Fordonsstandard

Nej

N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™-serie


MOSFET-transistorer, IXYS


Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS

Relaterade länkar