IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 115 A 300 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar
- RS-artikelnummer:
- 193-739
- Distrelec artikelnummer:
- 302-53-363
- Tillv. art.nr:
- IXFN140N30P
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
369,82 kr
(exkl. moms)
462,28 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 40 enhet(er) från den 12 juni 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 1 | 369,82 kr |
| 2 - 4 | 362,43 kr |
| 5 + | 351,34 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 193-739
- Distrelec artikelnummer:
- 302-53-363
- Tillv. art.nr:
- IXFN140N30P
- Tillverkare / varumärke:
- IXYS
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | IXYS | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 115A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 300V | |
| Kapseltyp | SOT-227 | |
| Serie | HiperFET, Polar | |
| Typ av fäste | Panel | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 24mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 700W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 185nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 9.6mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 38.2mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke IXYS | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 115A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 300V | ||
Kapseltyp SOT-227 | ||
Serie HiperFET, Polar | ||
Typ av fäste Panel | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 24mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 700W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 185nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 9.6mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 38.2mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
N-kanals effekt-MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™-serie
N-kanaliga effekt-MOSFET:er med snabb inbyggd diod (HiPerFET™) från IXYS
MOSFET-transistorer, IXYS
Ett brett utbud av avancerade diskreta effekt-MOSFET-enheter från IXYS
Relaterade länkar
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 115 A 300 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 115 A 200 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 86 A 300 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 192 A 300 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET, Polar3
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 36 A 1 kV Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 1 kV Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 145 A 650 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET
- IXYS Typ N Kanal, MOSFET, 110 A 850 V Förbättring, 4 Ben, SOT-227, HiperFET