STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 2.2 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV, MDmesh II
- RS-artikelnummer:
- 151-423
- Tillv. art.nr:
- STL3NM60N
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 längd med 10 enheter)*
169,34 kr
(exkl. moms)
211,68 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 4 720 enhet(er) från den 12 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per tejp* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 16,934 kr | 169,34 kr |
| 100 - 490 | 12,365 kr | 123,65 kr |
| 500 - 990 | 10,685 kr | 106,85 kr |
| 1000 - 2990 | 10,203 kr | 102,03 kr |
| 3000 + | 9,856 kr | 98,56 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 151-423
- Tillv. art.nr:
- STL3NM60N
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | PowerFLAT (3, 3 x 3, 3) HV | |
| Serie | MDmesh II | |
| Typ av fäste | Ytmontering | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal effektförlust Pd | 22W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 9.5nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp PowerFLAT (3, 3 x 3, 3) HV | ||
Serie MDmesh II | ||
Typ av fäste Ytmontering | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal effektförlust Pd 22W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 9.5nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
- COO (ursprungsland):
- MY
STMicroelectronics Power MOSFET har utvecklats med andra generationens MDmesh-teknik. Denna revolutionerande Power MOSFET associerar en vertikal struktur med företagets remslayout för att ge ett av världens lägsta motstånd. Den är därför lämplig för de mest krävande omvandlarna med hög effektivitet.
100 % avalanche-testade
Låg ingångskapacitans och grindladdning
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 2.2 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT (3,3 x 3,3) HV, MDmesh II
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 373 A 40 V, 8 Ben, PowerFLAT (3,3 x 3,3), STL AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 22 A 710 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT, MDmesh M5
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 22 A 600 V Förbättring, 5 Ben, PowerFLAT, MDmesh M5
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 15 A 710 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT, MDmesh M5
- STMicroelectronics N Kanal, MDmesh II effekt-MOSFET, 17 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, MDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, 25 A 750 V Förbättring, 4 Ben, PowerFLAT (5 x 6) HV
- STMicroelectronics 1 N Kanal Enkel, 7 A 600 V Förbättring, 8 Ben, PowerFLAT (5 x 6) HV