Infineon, IGBT-modul 650 V Genomgående hål 4

Se alla IGBT:er

Antal (1 fack med 15 enheter)*

7 854,345 kr

(exkl. moms)

9 817,935 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 11 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per fack*
15 +523,623 kr7 854,35 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
248-1201
Tillv. art.nr:
F3L150R07W2H3B11BPSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

20mW

Antal transistorer

4

Fästetyp

Genomgående hål

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Serie

F3L150R07W2H3B11

Längd

56.7mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Höjd

12mm

Bredd

48 mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon makes this EasyPACK 2B 650 V, 100 A 3-level IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT H3 and rapid diode and PressFIT / NTC. This device offers easy of use compact design, optimized performance. The device provides added benefits like increased blocking voltage capability up to 650 V, low inductive design, low switching losses and low VCE,sat. It uses an Al2O3 substrate with low thermal resistance and PressFIT contact technology. This device offers rugged mounting due to integrated mounting clamp. This device uses IGBT HighSpeed 3 technology.

Best cost-performance ratio with reduced system costs

High degree of freedom in design

Highest efficiency and power density

Relaterade länkar

Recently viewed