Infineon, IGBT-modul 650 V Genomgående hål 4
- RS-artikelnummer:
- 248-1200
- Tillv. art.nr:
- F3L100R07W2H3B11BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
553,62 kr
(exkl. moms)
692,02 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 03 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 1 | 553,62 kr |
| 2 - 4 | 525,95 kr |
| 5 - 9 | 503,78 kr |
| 10 - 19 | 481,71 kr |
| 20 + | 459,54 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 248-1200
- Tillv. art.nr:
- F3L100R07W2H3B11BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT-modul | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 20mW | |
| Antal transistorer | 4 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 12mm | |
| Serie | F3L100R07W2H3B11 | |
| Längd | 56.7mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT-modul | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 20mW | ||
Antal transistorer 4 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 12mm | ||
Serie F3L100R07W2H3B11 | ||
Längd 56.7mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon tillverkar denna EasyPACK 2B 650 V, 100 A 3-nivå IGBT-modul med Trench/Fieldstop IGBT H3 och snabb diod och PressFIT / NTC. Denna enhet erbjuder lättanvänd kompakt design, optimerad prestanda. Enheten ger ytterligare fördelar som ökad blockeringsspänningskapacitet upp till 650 V, låg induktiv design, låga omkopplingsförluster och låg VCE,sat. Den använder ett Al2O3-substrat med låg termisk resistans och PressFIT-kontaktteknik. Denna enhet erbjuder robust montering tack vare integrerad monteringsklämma.
Bästa kostnads-prestanda-förhållande med minskade systemkostnader
Hög grad av frihet i design och använder IGBT HighSpeed 3-teknik
Högsta effektivitet och effekttäthet
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT-modul 650 V Genomgående hål 4
- Infineon, IGBT-modul, 117 A 650 V, Modul Panel
- Infineon, IGBT, 40 A 650 V, TO-220 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 100 A 650 V, 4 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 75 A 650 V, 4 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 85 A 650 V, 4 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, 55 A 650 V, 3 Ben, 188 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-modul, 650 A 150 V, 8 Ben, Modul Panel