Infineon, IGBT-modul, 117 A 650 V, Modul Panel
- RS-artikelnummer:
- 273-7363
- Tillv. art.nr:
- F3L100R07W2E3B11BOMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
615,66 kr
(exkl. moms)
769,58 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 14 enhet(er) från den 18 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 4 | 615,66 kr |
| 5 - 9 | 603,34 kr |
| 10 - 99 | 559,66 kr |
| 100 - 249 | 512,85 kr |
| 250 + | 473,54 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-7363
- Tillv. art.nr:
- F3L100R07W2E3B11BOMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 117A | |
| Produkttyp | IGBT-modul | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 300W | |
| Kapseltyp | Modul | |
| Typ av fäste | Panel | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.9V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 16.4mm | |
| Längd | 62.8mm | |
| Standarder/godkännanden | UL (E83335) | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 117A | ||
Produkttyp IGBT-modul | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 300W | ||
Kapseltyp Modul | ||
Typ av fäste Panel | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.9V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 16.4mm | ||
Längd 62.8mm | ||
Standarder/godkännanden UL (E83335) | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons IGBT-modul har 650 V VCES, 100 A kontinuerlig DC-kollektorström 3 nivåers fasbenfasben IGBT-modul med TRENCHSTOP IGBT3, emitterstyrd 3-diod, NTC och Press FIT-kontaktteknik. Denna IGBT-modul ökar blockeringsspänningskapaciteten till 650 V och finns med Al2O3-substrat med låg termisk resistans.
Låg VCEsat
Kompakt design
Robust montering
Låg induktiv konstruktion
Låga omkopplingsförluster
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT-modul, 117 A 650 V, Modul Panel
- Infineon, IGBT-modul, 650 A 150 V, 8 Ben, Modul Panel
- Infineon, IGBT-modul, 100 A 1200 V, Modul Panel
- Infineon, IGBT-modul, 295 A 1200 V, Modul Panel
- Infineon, IGBT-modul, 200 A 1200 V, Modul Panel
- Infineon, IGBT-modul, 75 A 1200 V, Modul Panel
- Infineon, IGBT-modul, 27 A 600 V, Modul Panel
- Infineon, IGBT-modul, 45 A 600 V, Modul Panel