Infineon, IGBT-modul 650 V Genomgående hål 4
- RS-artikelnummer:
- 248-1202
- Tillv. art.nr:
- F3L150R07W2H3B11BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 2 till för att spara 64,30 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
643,22 kr
(exkl. moms)
804,02 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 11 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 1 | 643,22 kr | - |
| 2 - 4 | 611,07 kr | 64,30 kr |
| 5 - 9 | 585,31 kr | 289,55 kr |
| 10 - 19 | 559,66 kr | 835,60 kr |
| 20 + | 533,79 kr | 2 188,60 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 248-1202
- Tillv. art.nr:
- F3L150R07W2H3B11BPSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT-modul | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 20mW | |
| Antal transistorer | 4 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 20 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 12mm | |
| Serie | F3L150R07W2H3B11 | |
| Bredd | 48mm | |
| Längd | 56.7mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT-modul | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 20mW | ||
Antal transistorer 4 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 20 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 12mm | ||
Serie F3L150R07W2H3B11 | ||
Bredd 48mm | ||
Längd 56.7mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon tillverkar denna EasyPACK 2B 650 V, 100 A 3-nivå IGBT-modul med Trench/Fieldstop IGBT H3 och snabb diod och PressFIT / NTC. Denna enhet erbjuder lättanvänd kompakt design, optimerad prestanda. Enheten ger ytterligare fördelar som ökad blockeringsspänningskapacitet upp till 650 V, låg induktiv design, låga omkopplingsförluster och låg VCE,sat. Den använder ett Al2O3-substrat med låg termisk resistans och PressFIT-kontaktteknik. Denna enhet erbjuder robust montering tack vare integrerad monteringsklämma. Denna enhet använder IGBT HighSpeed 3-teknik.
Bästa kostnads-prestanda-förhållande med minskade systemkostnader
Hög grad av frihet i design
Högsta effektivitet och effekttäthet
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT-modul 650 V Genomgående hål 4
- Infineon, IGBT-modul, 117 A 650 V, Modul Panel
- Infineon, IGBT, N Kanal, 100 A 650 V, 4 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal, 85 A 650 V, 4 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, 40 A 650 V, TO-220 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, N Kanal 650 V, 4 Ben, PG-TO-247-4-STD-NT3.7 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, Typ N Kanal, 90 A 650 V, 4 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT, 55 A 650 V, 3 Ben, 188 Genomgående hål