Infineon, IGBT-modul 650 V Genomgående hål 4

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 enhet)*

661,02 kr

(exkl. moms)

826,28 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 11 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 - 1661,02 kr
2 - 4627,87 kr
5 - 9601,44 kr
10 - 19575,12 kr
20 +548,58 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
248-1202
Tillv. art.nr:
F3L150R07W2H3B11BPSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

20mW

Antal transistorer

4

Fästetyp

Genomgående hål

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

12mm

Serie

F3L150R07W2H3B11

Bredd

48 mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Längd

56.7mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon makes this EasyPACK 2B 650 V, 100 A 3-level IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT H3 and rapid diode and PressFIT / NTC. This device offers easy of use compact design, optimized performance. The device provides added benefits like increased blocking voltage capability up to 650 V, low inductive design, low switching losses and low VCE,sat. It uses an Al2O3 substrate with low thermal resistance and PressFIT contact technology. This device offers rugged mounting due to integrated mounting clamp. This device uses IGBT HighSpeed 3 technology.

Best cost-performance ratio with reduced system costs

High degree of freedom in design

Highest efficiency and power density

Relaterade länkar

Recently viewed