Infineon, IGBT-modul 650 V Genomgående hål 4

Se alla IGBT:er

Antal (1 enhet)*

562,24 kr

(exkl. moms)

702,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 6 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 +562,24 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
248-1196
Tillv. art.nr:
DF200R07W2H3B77BPSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Antal transistorer

4

Maximal effektförlust Pd

20mW

Typ av fäste

Genomgående hål

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

56.7mm

Bredd

48mm

Serie

DF200R07W2H3B77

Standarder/godkännanden

RoHS

Höjd

12mm

Fordonsstandard

Nej

Infineon tillverkar denna EasyPACK 2B 650 V, 100 A 3-nivå IGBT-modul med Trench/Fieldstop IGBT H3 och snabb diod och PressFIT / NTC. Denna enhet erbjuder lättanvänd kompakt design, optimerad prestanda. Enheten ger ytterligare fördelar som ökad blockeringsspänningskapacitet upp till 650 V, låg induktiv design, låga omkopplingsförluster och låg VCE,sat. Den använder ett Al2O3-substrat med låg termisk resistans och PressFIT-kontaktteknik. Denna enhet erbjuder robust montering tack vare integrerad monteringsklämma. Den här enheten har boosterkonfiguration och använder IGBT HighSpeed 3-teknik.

Bästa kostnads-prestanda-förhållande med minskade systemkostnader

Hög grad av frihet i design

Högsta effektivitet och effekttäthet

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.