Infineon, IGBT-modul, 117 A 650 V, Modul Panel

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 fack med 15 enheter)*

6 545,955 kr

(exkl. moms)

8 182,44 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 24 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per fack*
15 - 90436,397 kr6 545,96 kr
105 +400,027 kr6 000,41 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
273-7362
Tillv. art.nr:
F3L100R07W2E3B11BOMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

117A

Produkttyp

IGBT-modul

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

300W

Kapseltyp

Modul

Typ av fäste

Panel

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.9V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

20 V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

16.4mm

Längd

62.8mm

Standarder/godkännanden

UL (E83335)

Fordonsstandard

Nej

Infineons IGBT-modul har 650 V VCES, 100 A kontinuerlig DC-kollektorström 3 nivåers fasbenfasben IGBT-modul med TRENCHSTOP IGBT3, emitterstyrd 3-diod, NTC och Press FIT-kontaktteknik. Denna IGBT-modul ökar blockeringsspänningskapaciteten till 650 V och finns med Al2O3-substrat med låg termisk resistans.

Låg VCEsat

Kompakt design

Robust montering

Låg induktiv konstruktion

Låga omkopplingsförluster

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.