Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 80 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er

Antal (1 enhet)*

65,94 kr

(exkl. moms)

82,42 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 226 enhet(er) från den 23 februari 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
1 +65,94 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
226-6120
Tillv. art.nr:
IKY40N120CS6XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT-krets med enkel transistor

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

80A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

5kW

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

25 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

2.15V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

41.2mm

Bredd

15.9 mm

Standarder/godkännanden

RoHS

Höjd

5.1mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon 40 A IGBT with anti-parallel diode is very soft, fast recovery anti-parallel diode and has high ruggedness, temperature stable behaviour. It used low gate charge.

Low EMI

Low Gate Charge QG

Low saturation voltage if 1.85 V combined with low switching losses

Relaterade länkar

Recently viewed