Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 80 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 226-6119
- Tillv. art.nr:
- IKY40N120CS6XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 30 enheter)*
1 112,82 kr
(exkl. moms)
1 391,04 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 17 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 37,094 kr | 1 112,82 kr |
| 60 - 120 | 35,239 kr | 1 057,17 kr |
| 150 + | 33,757 kr | 1 012,71 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 226-6119
- Tillv. art.nr:
- IKY40N120CS6XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT-krets med enkel transistor | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 80A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1200V | |
| Maximal effektförlust Pd | 5kW | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 25 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 2.15V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 5.1mm | |
| Längd | 41.2mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT-krets med enkel transistor | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 80A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V | ||
Maximal effektförlust Pd 5kW | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 25 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 2.15V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 5.1mm | ||
Längd 41.2mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon 40 A IGBT med anti-parallell diod är en mycket mjuk, snabb anti-parallell diod och har hög robusthet, temperaturstabilt beteende. Den använder låg grindladdning.
Låg EMI
Låg grindladdning QG
Låg mättnadsspänning om 1,85 V kombinerat med låga omkopplingsförluster
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 80 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, 20 A 1200 V, 3 Ben, PG-TO-247
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 30 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 60 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 150 A 1200 V 31 ns, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 80 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon AEC-Q100, AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål