Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 60 A 1.2 kV, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 226-6078
- Tillv. art.nr:
- IHW30N120R5XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 25 till för att spara 403,20 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
237,33 kr
(exkl. moms)
296,66 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 1 630 enhet(er) är redo att levereras
- Plus 5 enhet(er) är redo att levereras från en annan plats
- Dessutom levereras 260 enhet(er) från den 18 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 5 - 20 | 47,466 kr | 237,33 kr | - |
| 25 - 45 | 31,338 kr | 156,69 kr | 403,20 kr |
| 50 - 120 | 28,94 kr | 144,70 kr | 926,30 kr |
| 125 - 245 | 27,104 kr | 135,52 kr | 2 545,25 kr |
| 250 + | 25,156 kr | 125,78 kr | 5 577,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 226-6078
- Tillv. art.nr:
- IHW30N120R5XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT-krets med enkel transistor | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 60A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1.2kV | |
| Maximal effektförlust Pd | 330W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | N | |
| Antal ben | 3 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.55V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 25 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 42mm | |
| Serie | Resonant Switching | |
| Höjd | 5.21mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Bredd | 16.13mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT-krets med enkel transistor | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 60A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1.2kV | ||
Maximal effektförlust Pd 330W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp N | ||
Antal ben 3 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.55V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 25 V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 42mm | ||
Serie Resonant Switching | ||
Höjd 5.21mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Bredd 16.13mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon resonant omkopplingsserie IGBT Single Transistor IC, 1200 V max kollektorsändarspänning, 60 A max kontinuerlig kollektorsström - IHW30N120R5XKSA1
Denna IGBT entransistor IC är en trepolig, genomgående effekttransistor utformad för högspänningsswitching i resonansomvandlartopologier. Den fungerar över ett utökat temperaturområde och är lämplig för krävande industriella miljöer där hög kollektor-emitterspänning och betydande kontinuerlig ström krävs.
Funktioner och fördelar:
• Kollektor-emitterklassning på 1200 V möjliggör högspänningskopplingskapacitet
• 60 A kontinuerlig kollektorström stöder tunga ledningsbelastningar
• 1,55 V VCE(sat) ger låga ledningsförluster under påslagningstillståndet
• Maximal effektförlust på 330 W möjliggör hantering av hög effekt
• 25 V gate-emitter maximalt skyddar grinden mot överdriven drift
• 60 A kontinuerlig kollektorström stöder tunga ledningsbelastningar
• 1,55 V VCE(sat) ger låga ledningsförluster under påslagningstillståndet
• Maximal effektförlust på 330 W möjliggör hantering av hög effekt
• 25 V gate-emitter maximalt skyddar grinden mot överdriven drift
Användningsområden
• Lämplig för resonansomvandlareffektsteg i industriella system
• Idealisk för högspänningsströmförsörjningar som kräver 1 200 V-enheter
• Används för omkopplingsmoduler som behöver 60 A kontinuerlig kapacitet
• Kan användas i miljöer med värmestress upp till 175 °C
• Lämplig för hålmonteringar och servicebara kraftkort
• Idealisk för högspänningsströmförsörjningar som kräver 1 200 V-enheter
• Används för omkopplingsmoduler som behöver 60 A kontinuerlig kapacitet
• Kan användas i miljöer med värmestress upp till 175 °C
• Lämplig för hålmonteringar och servicebara kraftkort
Vilka grindskyddsgränser bör iakttas?
Håll gate-emitterns avvikelser inom ±25 V för att förhindra att grinden går sönder.
Hur påverkar det termiska intervallet installationsvalet?
Enheten fungerar från −40 °C till 175 °C, så kylflödet och luftflödet måste matcha den övre temperaturen för att upprätthålla säkra kopplingstemperaturer.
Vilken monteringsmetod krävs för tillförlitlig drift?
Genomgående hålmontering i ett kretskort eller isolerad kylflänsmontering säkerställer mekanisk stabilitet och värmeledningsförmåga.
Vilket paket och antal stift ger den för kortlayout?
Den levereras i en TO‐247-förpackning med tre stift för standardiserade kretskortsfotavtryck.
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 60 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 30 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 80 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 150 A 1200 V 31 ns, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, 20 A 1200 V, 3 Ben, PG-TO-247
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 53 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, N Kanal, 85 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål