Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, 20 A 1200 V, 3 Ben, PG-TO-247
- RS-artikelnummer:
- 244-2914
- Tillv. art.nr:
- IHW20N120R5XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 2 enheter)*
57,45 kr
(exkl. moms)
71,812 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 500,00 kr
Tillfälligt slut
- 106 enhet(er) levereras från den 12 mars 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 28,725 kr | 57,45 kr |
| 10 - 38 | 27,61 kr | 55,22 kr |
| 40 - 78 | 26,655 kr | 53,31 kr |
| 80 - 118 | 25,48 kr | 50,96 kr |
| 120 + | 24,305 kr | 48,61 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 244-2914
- Tillv. art.nr:
- IHW20N120R5XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT-krets med enkel transistor | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 20A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1200V | |
| Maximal effektförlust Pd | 288W | |
| Kapseltyp | PG-TO-247 | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.55V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±20 % | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 5.21mm | |
| Serie | Resonant Switching | |
| Bredd | 16.13 mm | |
| Längd | 42mm | |
| Standarder/godkännanden | IEC61249-2-21, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT-krets med enkel transistor | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 20A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V | ||
Maximal effektförlust Pd 288W | ||
Kapseltyp PG-TO-247 | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.55V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±20 % | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 5.21mm | ||
Serie Resonant Switching | ||
Bredd 16.13 mm | ||
Längd 42mm | ||
Standarder/godkännanden IEC61249-2-21, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon IHW20N120R5XKSA1 is powerful mono lithic body diod ewitlow forward voltage designed for softcommutation. It has TRENCHSTOPTM technology also very tight parameter distribution. It is high ruggedness and temperature stable behavior.
Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCEsat
LowEMI
Pb-free lead plating
RoHS compliant
Halogen free(according to IEC61249-2-21)
Complete product spectrum and Pspice Models
Relaterade länkar
- Infineon Nej 20 A 1200 V PG-TO-247
- Infineon Nej 75 A 650 V PG-TO-247
- Infineon Nej IKW75N65RH5XKSA1 75 A 650 V PG-TO-247
- Infineon Nej Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon Nej Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon Nej Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon Nej IHW30N120R5XKSA1 Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon Nej IKY40N120CS6XKSA1 Typ N Kanal 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
