Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, 20 A 1200 V, 3 Ben, PG-TO-247

Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rör med 240 enheter)*

4 218,24 kr

(exkl. moms)

5 272,80 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 16 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rör*
240 - 24017,576 kr4 218,24 kr
480 +16,696 kr4 007,04 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
244-2913
Tillv. art.nr:
IHW20N120R5XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT-krets med enkel transistor

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

20A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

288W

Kapseltyp

PG-TO-247

Antal ben

3

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 %

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.55V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Längd

42mm

Serie

Resonant Switching

Standarder/godkännanden

IEC61249-2-21, RoHS

Höjd

5.21mm

Fordonsstandard

Nej

Infineon IHW20N120R5XKSA1 är en kraftfull mono-litiumkroppsdiod med snabbare framåtvänd spänning utformad för mjuk kommutation. Den har TRENCHSTOPTM-teknik och mycket snäv parameterfördelning. Det är hög robusthet och temperaturstabilt beteende.

Enkel parallell omkopplingskapacitet tack vare positiv temperaturkoefficient i VCEsat

Låg EMI

Blyfri plätering

RoHS-kompatibel

Halogenfri (enligt IEC61249-2-21)

Komplett produktspektrum och Pspice-modeller

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.