Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, 20 A 1200 V, 3 Ben, PG-TO-247

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 240 enheter)*

5 571,60 kr

(exkl. moms)

6 964,56 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 21 juli 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
240 - 24023,215 kr5 571,60 kr
480 +22,053 kr5 292,72 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
244-2913
Tillv. art.nr:
IHW20N120R5XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

20A

Produkttyp

IGBT-krets med enkel transistor

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

288W

Kapseltyp

PG-TO-247

Antal ben

3

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±20 %

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.55V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

175°C

Bredd

16.13 mm

Höjd

5.21mm

Längd

42mm

Standarder/godkännanden

IEC61249-2-21, RoHS

Serie

Resonant Switching

Fordonsstandard

Nej

The Infineon IHW20N120R5XKSA1 is powerful mono lithic body diod ewitlow forward voltage designed for softcommutation. It has TRENCHSTOPTM technology also very tight parameter distribution. It is high ruggedness and temperature stable behavior.

Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCEsat

LowEMI

Pb-free lead plating

RoHS compliant

Halogen free(according to IEC61249-2-21)

Complete product spectrum and Pspice Models

Relaterade länkar