Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 30 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 226-6076
- Tillv. art.nr:
- IHW15N120E1XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
148,51 kr
(exkl. moms)
185,64 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 135 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 29,702 kr | 148,51 kr |
| 25 - 45 | 25,828 kr | 129,14 kr |
| 50 - 120 | 24,058 kr | 120,29 kr |
| 125 - 245 | 22,58 kr | 112,90 kr |
| 250 + | 20,81 kr | 104,05 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 226-6076
- Tillv. art.nr:
- IHW15N120E1XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 30A | |
| Produkttyp | IGBT-krets med enkel transistor | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1200V | |
| Maximal effektförlust Pd | 156W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 25 V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.5V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 42mm | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC for target applications | |
| Serie | Resonant Soft-Switching | |
| Höjd | 5.21mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 30A | ||
Produkttyp IGBT-krets med enkel transistor | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V | ||
Maximal effektförlust Pd 156W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 25 V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.5V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 42mm | ||
Standarder/godkännanden JEDEC for target applications | ||
Serie Resonant Soft-Switching | ||
Höjd 5.21mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon IHW15N120E1 power full monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only and has high ruggedness, temperature stable behaviour with low VCEsat.
Very tight parameter distribution
Low EMI
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 30 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 80 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 60 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 150 A 1200 V 31 ns, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, 20 A 1200 V, 3 Ben, PG-TO-247
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 40 A 1350 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 34 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål