Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 30 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 5 enheter)*

148,51 kr

(exkl. moms)

185,64 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Sista RS lager
  • Slutlig(a) 135 enhet(er), redo att levereras
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
5 - 2029,702 kr148,51 kr
25 - 4525,828 kr129,14 kr
50 - 12024,058 kr120,29 kr
125 - 24522,58 kr112,90 kr
250 +20,81 kr104,05 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
226-6076
Tillv. art.nr:
IHW15N120E1XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT-krets med enkel transistor

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

30A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

1200V

Maximal effektförlust Pd

156W

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Kanaltyp

Typ N

Antal ben

3

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

25 V

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.5V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Serie

Resonant Soft-Switching

Standarder/godkännanden

JEDEC for target applications

Höjd

5.21mm

Längd

42mm

Bredd

16.13 mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon IHW15N120E1 power full monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only and has high ruggedness, temperature stable behaviour with low VCEsat.

Very tight parameter distribution

Low EMI

Relaterade länkar