Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 30 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 226-6076
- Tillv. art.nr:
- IHW15N120E1XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
148,51 kr
(exkl. moms)
185,64 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 135 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 29,702 kr | 148,51 kr |
| 25 - 45 | 25,828 kr | 129,14 kr |
| 50 - 120 | 24,058 kr | 120,29 kr |
| 125 - 245 | 22,58 kr | 112,90 kr |
| 250 + | 20,81 kr | 104,05 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 226-6076
- Tillv. art.nr:
- IHW15N120E1XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 30A | |
| Produkttyp | IGBT-krets med enkel transistor | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1200V | |
| Maximal effektförlust Pd | 156W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.5V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 25 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 42mm | |
| Höjd | 5.21mm | |
| Serie | Resonant Soft-Switching | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC for target applications | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 30A | ||
Produkttyp IGBT-krets med enkel transistor | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V | ||
Maximal effektförlust Pd 156W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.5V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 25 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 42mm | ||
Höjd 5.21mm | ||
Serie Resonant Soft-Switching | ||
Standarder/godkännanden JEDEC for target applications | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons IHW15N120E1 full monolithisk kroppsdiod med låg framåtriktad spänning är endast utformad för mjuk kommutation och har hög robusthet, temperaturstabilt beteende med låg VCEsat.
Mycket snäv parameterfördelning
Låg EMI
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 30 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 60 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 80 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 150 A 1200 V 31 ns, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, 20 A 1200 V, 3 Ben, PG-TO-247
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 34 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 60 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål