Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 30 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 226-6076
- Tillv. art.nr:
- IHW15N120E1XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 5 enheter)*
148,51 kr
(exkl. moms)
185,64 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 135 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 29,702 kr | 148,51 kr |
| 25 - 45 | 25,828 kr | 129,14 kr |
| 50 - 120 | 24,058 kr | 120,29 kr |
| 125 - 245 | 22,58 kr | 112,90 kr |
| 250 + | 20,81 kr | 104,05 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 226-6076
- Tillv. art.nr:
- IHW15N120E1XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT-krets med enkel transistor | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 30A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 1200V | |
| Maximal effektförlust Pd | 156W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Antal ben | 3 | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.5V | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | 25 V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 5.21mm | |
| Längd | 42mm | |
| Standarder/godkännanden | JEDEC for target applications | |
| Serie | Resonant Soft-Switching | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT-krets med enkel transistor | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 30A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 1200V | ||
Maximal effektförlust Pd 156W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Antal ben 3 | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.5V | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO 25 V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 5.21mm | ||
Längd 42mm | ||
Standarder/godkännanden JEDEC for target applications | ||
Serie Resonant Soft-Switching | ||
Fordonsstandard Nej | ||
The Infineon IHW15N120E1 power full monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only and has high ruggedness, temperature stable behaviour with low VCEsat.
Very tight parameter distribution
Low EMI
Relaterade länkar
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 30 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 80 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 60 A 1200 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 150 A 1200 V 31 ns, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, 20 A 1200 V, 3 Ben, PG-TO-247
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Yta
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 40 A 1350 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 34 A 600 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål