Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 rör med 30 enheter)*

1 141,05 kr

(exkl. moms)

1 426,32 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 11 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rör*
30 - 3038,035 kr1 141,05 kr
60 - 12036,135 kr1 084,05 kr
150 +34,612 kr1 038,36 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
215-6610
Tillv. art.nr:
AIGW50N65F5XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

80A

Produkttyp

IGBT-krets med enkel transistor

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

270W

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.66V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±30 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

AEC-Q101

Serie

High Speed Fifth Generation

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon three pin high speed fast insulated-gate bipolar transistor.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Relaterade länkar