Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- RS-artikelnummer:
- 215-6609
- Tillv. art.nr:
- AIGW40N65H5XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
144,93 kr
(exkl. moms)
181,162 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 160 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 72,465 kr | 144,93 kr |
| 10 - 18 | 65,91 kr | 131,82 kr |
| 20 - 48 | 61,60 kr | 123,20 kr |
| 50 - 98 | 57,12 kr | 114,24 kr |
| 100 + | 52,865 kr | 105,73 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-6609
- Tillv. art.nr:
- AIGW40N65H5XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | IGBT-krets med enkel transistor | |
| Maximal kontinuerlig kollektorström Ic | 74A | |
| Maximal kollektor-emitterspänning Vceo | 650V | |
| Maximal effektförlust Pd | 250W | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal spänning för gate-emitter VGEO | ±30 V | |
| Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT | 1.66V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 | |
| Serie | High Speed Fifth Generation | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp IGBT-krets med enkel transistor | ||
Maximal kontinuerlig kollektorström Ic 74A | ||
Maximal kollektor-emitterspänning Vceo 650V | ||
Maximal effektförlust Pd 250W | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal spänning för gate-emitter VGEO ±30 V | ||
Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT 1.66V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 | ||
Serie High Speed Fifth Generation | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineons höghastighets H5-teknik med isolerad bipolär porttransistor erbjuder klassens bästa effektivitet i hårda omkopplings- och resonanta topologier.
Högeffektiv
Låga omkopplingsförluster
Ökad tillförlitlighet
Låg elektromagnetisk störning
Relaterade länkar
- Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Yta
- Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, 75 A 650 V, 3 Ben, PG-TO-247
- Infineon AEC-Q100, AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 80 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-263 Yta
- Infineon AEC-Q101, IGBT, Typ N Kanal, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål
- Infineon, IGBT-krets med enkel transistor, Typ N Kanal, 85 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål