Infineon AEC-Q101, IGBT-krets med enkel transistor, 74 A 650 V, 3 Ben, TO-247 Genomgående hål

Se alla IGBT:er
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 2 enheter)*

119,62 kr

(exkl. moms)

149,52 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 172 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
2 - 859,81 kr119,62 kr
10 - 1854,43 kr108,86 kr
20 - 4850,85 kr101,70 kr
50 - 9847,15 kr94,30 kr
100 +43,68 kr87,36 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
215-6609
Tillv. art.nr:
AIGW40N65H5XKSA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

IGBT-krets med enkel transistor

Maximal kontinuerlig kollektorström Ic

74A

Maximal kollektor-emitterspänning Vceo

650V

Maximal effektförlust Pd

250W

Kapseltyp

TO-247

Fästetyp

Genomgående hål

Antal ben

3

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal mättnadsspänning för kollektorns emitter VceSAT

1.66V

Maximal spänning för gate-emitter VGEO

±30 V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

AEC-Q101

Serie

High Speed Fifth Generation

Fordonsstandard

AEC-Q101

The Infineon high speed H5 technology insulated-gate bipolar transistor offering best-in-class efficiency in hard switching and resonant topologies.

High Efficiency

Low Switching Losses

Increased Reliability

Low Electromagnetic Interference

Relaterade länkar

Recently viewed